EnglishIn this work, we explore the potential of Kelvin Force Microscopy (KFM) measurements to investigate the lateral charge transport in SiN layers with two different compositions (standard, std, and Silicon rich, Si-rich). The dynamics of the lateral spread of the trapped charge is analyzed with the help of three dimensional numerical device simulations.
Direct Probing of Trapped Charge Dynamics in SiN by Kelvin Force Microscopy / Vianello, Elisa; Nowak, E; Mariolle, D; Chevalier, N; Perniola, L; Molas, G; Colonna, J; Driussi, Francesco; Selmi, Luca. - (2010), pp. 94-97. ((Intervento presentato al convegno International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS) tenutosi a TOKYO (GIAPPONE) nel Marzo 2010.
| Data di pubblicazione: | 2010 |
| Titolo: | Direct Probing of Trapped Charge Dynamics in SiN by Kelvin Force Microscopy |
| Autore/i: | Vianello, Elisa; Nowak, E; Mariolle, D; Chevalier, N; Perniola, L; Molas, G; Colonna, J; Driussi, Francesco; Selmi, Luca |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/ICMTS.2010.5466851 |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-77953901594 |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000287371500019 |
| Nome del convegno: | International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS) |
| Luogo del convegno: | TOKYO (GIAPPONE) |
| Data del convegno: | Marzo 2010 |
| Pagina iniziale: | 94 |
| Pagina finale: | 97 |
| Citazione: | Direct Probing of Trapped Charge Dynamics in SiN by Kelvin Force Microscopy / Vianello, Elisa; Nowak, E; Mariolle, D; Chevalier, N; Perniola, L; Molas, G; Colonna, J; Driussi, Francesco; Selmi, Luca. - (2010), pp. 94-97. ((Intervento presentato al convegno International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS) tenutosi a TOKYO (GIAPPONE) nel Marzo 2010. |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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| File | Descrizione | Tipologia | |
|---|---|---|---|
| vianelloICMTS2.pdf | N/A | Administrator Richiedi una copia |
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http://hdl.handle.net/11380/1163534
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