This paper presents a detailed numerical investigation of the recently reported phenomenon of substrate enhanced hole gate current in deep submicron pMOS transistors [1]. To this purpose, full-band Monte Carlo simulations of carrier heating and injection in the gate oxide have been carried out at different substrate voltages. Results are in good qualitative agreement with previously reported measurements, and provide a clear microscopic picture to explain the experimentally observed features of electron and hole gate currents in pMOS devices.
Microscopic Analysis of the Impact of Substrate Bias on the Gate Current of pMOSFETs / Zanchetta, Sergio; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca. - STAMPA. - (2001), pp. 106-109. ((Intervento presentato al convegno International Semiconductor Device Research Symposium tenutosi a Washington, DC nel Dec. 2001.
Data di pubblicazione: | 2001 |
Titolo: | Microscopic Analysis of the Impact of Substrate Bias on the Gate Current of pMOSFETs |
Autore/i: | Zanchetta, Sergio; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca |
Autore/i UNIMORE: | |
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/ISDRS.2001.984450 |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-11144220564 |
Codice identificativo ISI: | WOS:000175261300027 |
Nome del convegno: | International Semiconductor Device Research Symposium |
Luogo del convegno: | Washington, DC |
Data del convegno: | Dec. 2001 |
Pagina iniziale: | 106 |
Pagina finale: | 109 |
Citazione: | Microscopic Analysis of the Impact of Substrate Bias on the Gate Current of pMOSFETs / Zanchetta, Sergio; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca. - STAMPA. - (2001), pp. 106-109. ((Intervento presentato al convegno International Semiconductor Device Research Symposium tenutosi a Washington, DC nel Dec. 2001. |
Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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2001_12_ISDRS_Zanchetta_MicroscopicAnalysisImpact.pdf | N/A | Administrator Richiedi una copia |

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