Microscopic Analysis of the Impact of Substrate Bias on the Gate Current of pMOSFETs

Zanchetta, Sergio; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca

doi:10.1109/ISDRS.2001.984450

This paper presents a detailed numerical investigation of the recently reported phenomenon of substrate enhanced hole gate current in deep submicron pMOS transistors [1]. To this purpose, full-band Monte Carlo simulations of carrier heating and injection in the gate oxide have been carried out at different substrate voltages. Results are in good qualitative agreement with previously reported measurements, and provide a clear microscopic picture to explain the experimentally observed features of electron and hole gate currents in pMOS devices.

Microscopic Analysis of the Impact of Substrate Bias on the Gate Current of pMOSFETs / Zanchetta, Sergio; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca. - STAMPA. - (2001), pp. 106-109. ((Intervento presentato al convegno International Semiconductor Device Research Symposium tenutosi a Washington, DC nel Dec. 2001.

Data di pubblicazione:	2001
Titolo:	Microscopic Analysis of the Impact of Substrate Bias on the Gate Current of pMOSFETs
Autore/i:	Zanchetta, Sergio; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca
Autore/i UNIMORE:	ZANCHETTA, SERGIO ESSENI, David PALESTRI, Pierpaolo SELMI, LUCA mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/ISDRS.2001.984450
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-11144220564
Codice identificativo ISI:	WOS:000175261300027
Nome del convegno:	International Semiconductor Device Research Symposium
Luogo del convegno:	Washington, DC
Data del convegno:	Dec. 2001
Pagina iniziale:	106
Pagina finale:	109
Citazione:	Microscopic Analysis of the Impact of Substrate Bias on the Gate Current of pMOSFETs / Zanchetta, Sergio; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca. - STAMPA. - (2001), pp. 106-109. ((Intervento presentato al convegno International Semiconductor Device Research Symposium tenutosi a Washington, DC nel Dec. 2001.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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http://hdl.handle.net/11380/1163530

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