In this work recently developed 2D Multi-Subband Monte Carlo device simulator and a Non-Equilibrium Green's functions solver are compared focusing on the source-channel barrier height modeling in double gate SOI MOSFETs.
Analysis of transport properties of nanoscale SOI devices: Full Quantum versus Semi Classical models / Lucci, Luca; M., Bescond; R., Clerc; Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; Selmi, Luca; S., Cristoloveanu. - (2007), pp. 43-44. (Intervento presentato al convegno EUROSOI 2007 tenutosi a Leuven (Belgio), 24-26 marzo 2007 nel 24-26/01/2007).
Analysis of transport properties of nanoscale SOI devices: Full Quantum versus Semi Classical models
PALESTRI, Pierpaolo;SELMI, Luca;
2007
Abstract
In this work recently developed 2D Multi-Subband Monte Carlo device simulator and a Non-Equilibrium Green's functions solver are compared focusing on the source-channel barrier height modeling in double gate SOI MOSFETs.
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