Bias and Temperature Dependence of Gate and Substrate Currents in n-MOSFETs at Low Drain Voltage / Esseni, David; Selmi, Luca; R., Bez; Sangiorgi, Enrico; B., Ricco. - (1994), pp. 307-310. (Intervento presentato al convegno International Electron Devices Meeting (IEDM) nel dec 1994).
Bias and Temperature Dependence of Gate and Substrate Currents in n-MOSFETs at Low Drain Voltage
SELMI, Luca;
1994
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris