Comparison of Monte Carlo Transport Models for Nanometer-Size MOSFETs

Fiegna, C; Braccioli, M; Brugger S., C; Bufler F., M; Dollfus, P; Aubry Fortuna, V; Jungemann, C; Meinerzhagen, B; Palestri, Pierpaolo; Galdin Retailleau, S; Sangiorgi, E; Schenk, A; Selmi, Luca

doi:10.1007/978-3-211-72861-1_14

This paper presents the results of a comparison among five Monte Carlo device simulators for nano-scale MOSFETs. These models are applied to the simulation of the I-V characteristics of a 25 nm gate-length MOSFET representative of the high-performance transistor of the 65 nm technology node. Appreciable differences between the simulators are obtained in terms of simulated ION. These differences are mainly related to different treatments of the ionized impurity scattering (IIS) and pinpoint a limitation of the available models for screening effects at very large carrier concentrations.

Comparison of Monte Carlo Transport Models for Nanometer-Size MOSFETs / Fiegna, C; Braccioli, M; BRUGGER S., C; BUFLER F., M; Dollfus, P; AUBRY FORTUNA, V; Jungemann, C; Meinerzhagen, B; Palestri, Pierpaolo; GALDIN RETAILLEAU, S; Sangiorgi, E; Schenk, A; Selmi, Luca. - STAMPA. - (2007), pp. 57-60. ((Intervento presentato al convegno Proc. IEEE SISPAD 2007 Conference tenutosi a Wien (A), settembre 2007 nel 25-27/09/2007.

Data di pubblicazione:	2007
Titolo:	Comparison of Monte Carlo Transport Models for Nanometer-Size MOSFETs
Autore/i:	Fiegna, C; Braccioli, M; BRUGGER S., C; BUFLER F., M; Dollfus, P; AUBRY FORTUNA, V; Jungemann, C; Meinerzhagen, B; Palestri, Pierpaolo; GALDIN RETAILLEAU, S; Sangiorgi, E; Schenk, A; Selmi, Luca
Autore/i UNIMORE:	FIEGNA C BRACCIOLI M BRUGGER S. C BUFLER F. M DOLLFUS P AUBRY FORTUNA V JUNGEMANN C MEINERZHAGEN B PALESTRI, Pierpaolo GALDIN RETAILLEAU S SANGIORGI E SCHENK A SELMI, LUCA mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1007/978-3-211-72861-1_14
Nome del convegno:	Proc. IEEE SISPAD 2007 Conference
Luogo del convegno:	Wien (A), settembre 2007
Data del convegno:	25-27/09/2007
Pagina iniziale:	57
Pagina finale:	60
Citazione:	Comparison of Monte Carlo Transport Models for Nanometer-Size MOSFETs / Fiegna, C; Braccioli, M; BRUGGER S., C; BUFLER F., M; Dollfus, P; AUBRY FORTUNA, V; Jungemann, C; Meinerzhagen, B; Palestri, Pierpaolo; GALDIN RETAILLEAU, S; Sangiorgi, E; Schenk, A; Selmi, Luca. - STAMPA. - (2007), pp. 57-60. ((Intervento presentato al convegno Proc. IEEE SISPAD 2007 Conference tenutosi a Wien (A), settembre 2007 nel 25-27/09/2007.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

File in questo prodotto:

File	Descrizione	Tipologia
2007_09_SISPAD_Fiegna_ComparisonMonteCarlo.pdf		N/A	Administrator Richiedi una copia

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11380/1163454

Citazioni

I documenti presenti in Iris Unimore sono rilasciati con licenza Creative Commons Attribuzione - Non commerciale - Non opere derivate 3.0 Italia, salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris