EnglishThis paper presents the results of a comparison among five Monte Carlo device simulators for nano-scale MOSFETs. These models are applied to the simulation of the I-V characteristics of a 25 nm gate-length MOSFET representative of the high-performance transistor of the 65 nm technology node. Appreciable differences between the simulators are obtained in terms of simulated ION. These differences are mainly related to different treatments of the ionized impurity scattering (IIS) and pinpoint a limitation of the available models for screening effects at very large carrier concentrations.
Comparison of Monte Carlo Transport Models for Nanometer-Size MOSFETs / Fiegna, C; Braccioli, M; BRUGGER S., C; BUFLER F., M; Dollfus, P; AUBRY FORTUNA, V; Jungemann, C; Meinerzhagen, B; Palestri, Pierpaolo; GALDIN RETAILLEAU, S; Sangiorgi, E; Schenk, A; Selmi, Luca. - STAMPA. - (2007), pp. 57-60. ((Intervento presentato al convegno Proc. IEEE SISPAD 2007 Conference tenutosi a Wien (A), settembre 2007 nel 25-27/09/2007 [10.1007/978-3-211-72861-1_14].
| Data di pubblicazione: | 2007 | |
| Titolo: | Comparison of Monte Carlo Transport Models for Nanometer-Size MOSFETs | |
| Autore/i: | Fiegna, C; Braccioli, M; BRUGGER S., C; BUFLER F., M; Dollfus, P; AUBRY FORTUNA, V; Jungemann, C; Meinerzhagen, B; Palestri, Pierpaolo; GALDIN RETAILLEAU, S; Sangiorgi, E; Schenk, A; Selmi, Luca | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1007/978-3-211-72861-1_14 | |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-84901311609 | |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000252105600014 | |
| Nome del convegno: | Proc. IEEE SISPAD 2007 Conference | |
| Luogo del convegno: | Wien (A), settembre 2007 | |
| Data del convegno: | 25-27/09/2007 | |
| Pagina iniziale: | 57 | |
| Pagina finale: | 60 | |
| Citazione: | Comparison of Monte Carlo Transport Models for Nanometer-Size MOSFETs / Fiegna, C; Braccioli, M; BRUGGER S., C; BUFLER F., M; Dollfus, P; AUBRY FORTUNA, V; Jungemann, C; Meinerzhagen, B; Palestri, Pierpaolo; GALDIN RETAILLEAU, S; Sangiorgi, E; Schenk, A; Selmi, Luca. - STAMPA. - (2007), pp. 57-60. ((Intervento presentato al convegno Proc. IEEE SISPAD 2007 Conference tenutosi a Wien (A), settembre 2007 nel 25-27/09/2007 [10.1007/978-3-211-72861-1_14]. | |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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| File | Descrizione | Tipologia | |
|---|---|---|---|
| 2007_09_SISPAD_Fiegna_ComparisonMonteCarlo.pdf | N/A | Administrator Richiedi una copia |
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http://hdl.handle.net/11380/1163454
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