Investigation of Hot Electron Luminescence in Silicon by means of Dual Gate MOS Structures

Selmi, Luca; Wong H., S; Sangiorgi, Enrico; Lanzoni, M; Manfredi, M.

doi:10.1109/IEDM.1993.386471

Investigation of Hot Electron Luminescence in Silicon by means of Dual Gate MOS Structures / Selmi, Luca; WONG H., S; Sangiorgi, Enrico; Lanzoni, M; Manfredi, M.. - (1993), pp. 531-534. ((Intervento presentato al convegno IEDM 1993.

Data di pubblicazione:	1993
Titolo:	Investigation of Hot Electron Luminescence in Silicon by means of Dual Gate MOS Structures
Autore/i:	Selmi, Luca; WONG H., S; Sangiorgi, Enrico; Lanzoni, M; Manfredi, M.
Autore/i UNIMORE:	SELMI, LUCA WONG H. S SANGIORGI, Enrico LANZONI M MANFREDI M. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/IEDM.1993.386471
Nome del convegno:	IEDM 1993
Pagina iniziale:	531
Pagina finale:	534
Citazione:	Investigation of Hot Electron Luminescence in Silicon by means of Dual Gate MOS Structures / Selmi, Luca; WONG H., S; Sangiorgi, Enrico; Lanzoni, M; Manfredi, M.. - (1993), pp. 531-534. ((Intervento presentato al convegno IEDM 1993.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

File in questo prodotto:

Non ci sono file associati a questo prodotto.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11380/1163452

Citazioni

I documenti presenti in Iris Unimore sono rilasciati con licenza Creative Commons Attribuzione - Non commerciale - Non opere derivate 3.0 Italia, salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris