Modeling of Field-Effect-Transistors with Strained and Alternative Channel Materials

Conzatti, Francesco; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca

doi:10.1149/05009.0157ecst

In this paper we present a review of the modeling of strain effects in nano-scale transistors and we describe different approaches that can be followed in order to include the effect of strain in both conventional and innovative devices. We first describe the mathematical framework for the modeling of strain and then we present two important case-studies where we have successfully emploied advanced modeling techniques in order to investigate the effect of strain in germanium-based MOSFETs and in InAs Tunnel-FETs.

Modeling of Field-Effect-Transistors with Strained and Alternative Channel Materials / Conzatti, Francesco; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca. - In: ECS TRANSACTIONS. - ISSN 1938-5862. - 50:9(2012), pp. 1-1. ((Intervento presentato al convegno Prime 2012 tenutosi a Honolulu nel 7-12 ottobre 2012.

Data di pubblicazione:	2012
Titolo:	Modeling of Field-Effect-Transistors with Strained and Alternative Channel Materials
Autore/i:	Conzatti, Francesco; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca
Autore/i UNIMORE:	CONZATTI, Francesco ESSENI, David PALESTRI, Pierpaolo SELMI, LUCA mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1149/05009.0157ecst
Nome del convegno:	Prime 2012
Luogo del convegno:	Honolulu
Data del convegno:	7-12 ottobre 2012
Rivista:	ECS TRANSACTIONS
Volume:	50
Pagina iniziale:	1
Pagina finale:	1
Citazione:	Modeling of Field-Effect-Transistors with Strained and Alternative Channel Materials / Conzatti, Francesco; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca. - In: ECS TRANSACTIONS. - ISSN 1938-5862. - 50:9(2012), pp. 1-1. ((Intervento presentato al convegno Prime 2012 tenutosi a Honolulu nel 7-12 ottobre 2012.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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http://hdl.handle.net/11380/1163446

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