EnglishIn this paper we present a review of the modeling of strain effects in nano-scale transistors and we describe different approaches that can be followed in order to include the effect of strain in both conventional and innovative devices. We first describe the mathematical framework for the modeling of strain and then we present two important case-studies where we have successfully emploied advanced modeling techniques in order to investigate the effect of strain in germanium-based MOSFETs and in InAs Tunnel-FETs.
| Data di pubblicazione: | 2012 |
| Titolo: | Modeling of Field-Effect-Transistors with Strained and Alternative Channel Materials |
| Autore/i: | Conzatti, Francesco; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1149/05009.0157ecst |
| Nome del convegno: | Prime 2012 |
| Luogo del convegno: | Honolulu |
| Data del convegno: | 7-12 ottobre 2012 |
| Rivista: | ECS TRANSACTIONS |
| Volume: | 50 |
| Pagina iniziale: | 1 |
| Pagina finale: | 1 |
| Citazione: | Modeling of Field-Effect-Transistors with Strained and Alternative Channel Materials / Conzatti, Francesco; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca. - In: ECS TRANSACTIONS. - ISSN 1938-5862. - 50:9(2012), pp. 1-1. ((Intervento presentato al convegno Prime 2012 tenutosi a Honolulu nel 7-12 ottobre 2012. |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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http://hdl.handle.net/11380/1163446
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