Modeling electrostatic doping and series resistance in graphene-FETs

Venica, Stefano; Zanato, Massimiliano; Driussi, Francesco; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca

doi:10.1109/SISPAD.2016.7605220

We model the source/drain series resistance and the electrostatic doping effects associated to the source and drain metals in graphene FETs using a Monte Carlo transport simulator. We compare the new model to simulations assuming chemical doping in the source/drain regions. A procedure to include the series resistance as part of the self–consistent Monte Carlo loop is proposed and verified against the widely employed method based on look–up tables.

Modeling electrostatic doping and series resistance in graphene-FETs / Venica, Stefano; Zanato, Massimiliano; Driussi, Francesco; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca. - STAMPA. - (2016), pp. 357-360. ((Intervento presentato al convegno 2016 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) tenutosi a Norimberga (GER) nel 6 -8 September 2016.

Data di pubblicazione:	2016
Titolo:	Modeling electrostatic doping and series resistance in graphene-FETs
Autore/i:	Venica, Stefano; Zanato, Massimiliano; Driussi, Francesco; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca
Autore/i UNIMORE:	Venica, Stefano Zanato, Massimiliano DRIUSSI, Francesco PALESTRI, Pierpaolo SELMI, LUCA mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/SISPAD.2016.7605220
Nome del convegno:	2016 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
Luogo del convegno:	Norimberga (GER)
Data del convegno:	6 -8 September 2016
Pagina iniziale:	357
Pagina finale:	360
Citazione:	Modeling electrostatic doping and series resistance in graphene-FETs / Venica, Stefano; Zanato, Massimiliano; Driussi, Francesco; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca. - STAMPA. - (2016), pp. 357-360. ((Intervento presentato al convegno 2016 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) tenutosi a Norimberga (GER) nel 6 -8 September 2016.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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sispad-2016-proceedings.pdf		N/A	Administrator Richiedi una copia

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http://hdl.handle.net/11380/1163442

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