Mixed device-circuit simulations of 6T/8T SRAM cells employing tunnel-FETs / Strangio, Sebastiano; Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; Selmi, Luca; Crupi, F.. - ELETTRONICO. - (2015), pp. 81-82. ((Intervento presentato al convegno GE2015, 47th Conference tenutosi a Siena, Italy nel June 24-26, 2015.
Data di pubblicazione: | 2015 |
Titolo: | Mixed device-circuit simulations of 6T/8T SRAM cells employing tunnel-FETs |
Autore/i: | Strangio, Sebastiano; Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; Selmi, Luca; Crupi, F. |
Autore/i UNIMORE: | |
Nome del convegno: | GE2015, 47th Conference |
Luogo del convegno: | Siena, Italy |
Data del convegno: | June 24-26, 2015 |
Pagina iniziale: | 81 |
Pagina finale: | 82 |
Citazione: | Mixed device-circuit simulations of 6T/8T SRAM cells employing tunnel-FETs / Strangio, Sebastiano; Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; Selmi, Luca; Crupi, F.. - ELETTRONICO. - (2015), pp. 81-82. ((Intervento presentato al convegno GE2015, 47th Conference tenutosi a Siena, Italy nel June 24-26, 2015. |
Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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File | Descrizione | Tipologia | |
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ge2015_proceedings_Strangio.pdf | N/A | Administrator Richiedi una copia |

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