Mixed device-circuit simulations of 6T/8T SRAM cells employing tunnel-FETs / Strangio, Sebastiano; Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; Selmi, Luca; Crupi, F.. - ELETTRONICO. - (2015), pp. 81-82. (Intervento presentato al convegno GE2015, 47th Conference tenutosi a Siena, Italy nel June 24-26, 2015).
File in questo prodotto:
| File | Dimensione | Formato | |
|---|---|---|---|
|
ge2015_proceedings_Strangio.pdf
Accesso riservato
Dimensione
107.69 kB
Formato
Adobe PDF
|
107.69 kB | Adobe PDF | Visualizza/Apri Richiedi una copia |
Pubblicazioni consigliate
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
