EnglishThe aim of this paper is to assess the capability of TCAD tools to accurately model hot electron injection in advanced device architecture versus state of the art full band Monte Carlo.
| Data di pubblicazione: | 2009 |
| Titolo: | On the Accuracy of Current TCAD Hot Carrier Injection Models for the Simulation of Degradation Phenomena in Nanoscale Devices |
| Autore/i: | A., Zaka; Q., Rafhay; Palestri, Pierpaolo; R., Clerc; D., Rideau; Selmi, Luca; C., Tavernier; H., Jaouen |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/ISDRS.2009.5378310 |
| Nome del convegno: | Proceedings ISDRS2009 |
| Luogo del convegno: | Washington(USA), dicembre 2009 |
| Data del convegno: | dicembre |
| Pagina iniziale: | 1 |
| Pagina finale: | 4 |
| Citazione: | On the Accuracy of Current TCAD Hot Carrier Injection Models for the Simulation of Degradation Phenomena in Nanoscale Devices / A., Zaka; Q., Rafhay; Palestri, Pierpaolo; R., Clerc; D., Rideau; Selmi, Luca; C., Tavernier; H., Jaouen. - (2009), pp. 1-4. ((Intervento presentato al convegno Proceedings ISDRS2009 tenutosi a Washington(USA), dicembre 2009 nel dicembre. |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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