The impact of longitudinal non-uniform Fin-thickness on quasi-ballistic transport in FinFETs

Serra, N; Palestri, Pierpaolo; Smit G. D., J; Selmi, Luca

doi:10.1109/ULIS.2008.4527144

The impact of fin-thickness nonuniformities on carrier transport in FinFETs is analyzed with a quasi-ballistic transport model based on the multisubband Monte Carlo technique. Silicon channels featuring thickness constrictions or enlargements show subband energy variations due to the changes in vertical quantization along the fin. We found that the impact on the on-current is larger when the nonuniformities are located close to the virtual source of the device. Furthermore, the sensitivity of on-current to thickness nonuniformity is essentially the same when considering different crystal orientations. Comparison with drift-diffusion simulations reveals quantitative and qualitative differences in the predicted drain current trends of these nanoscale, quasi-ballistic MOS devices.

The impact of longitudinal non-uniform Fin-thickness on quasi-ballistic transport in FinFETs / Serra, N; Palestri, Pierpaolo; SMIT G. D., J; Selmi, Luca. - (2008), pp. 75-78. ((Intervento presentato al convegno European Workshop on Ultimate Integration of Silicon (ULIS) tenutosi a Udine (IT) nel marzo.

Data di pubblicazione:	2008
Titolo:	The impact of longitudinal non-uniform Fin-thickness on quasi-ballistic transport in FinFETs
Autore/i:	Serra, N; Palestri, Pierpaolo; SMIT G. D., J; Selmi, Luca
Autore/i UNIMORE:	SERRA N PALESTRI, Pierpaolo SMIT G. D. J SELMI, LUCA mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/ULIS.2008.4527144
Nome del convegno:	European Workshop on Ultimate Integration of Silicon (ULIS)
Luogo del convegno:	Udine (IT)
Data del convegno:	marzo
Pagina iniziale:	75
Pagina finale:	78
Citazione:	The impact of longitudinal non-uniform Fin-thickness on quasi-ballistic transport in FinFETs / Serra, N; Palestri, Pierpaolo; SMIT G. D., J; Selmi, Luca. - (2008), pp. 75-78. ((Intervento presentato al convegno European Workshop on Ultimate Integration of Silicon (ULIS) tenutosi a Udine (IT) nel marzo.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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2008_03_ULIS_Serra_ImpactLongitudinal_NonUniform.pdf		N/A	Administrator Richiedi una copia

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http://hdl.handle.net/11380/1163408

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