EnglishPolarity dependent charge Trapping in Thin SiO_2/Al_2O_3 Gate Stacks with Poly-Si Gate Electrodes: Influence of High Temperature Annealing / Lucci, Luca; Pantisano, L.; Cartier, E.; Kerber, A.; Groeseneken, G.; Ho, M. Y.; Green, M.; Selmi, Luca. - STAMPA. - (2002). ((Intervento presentato al convegno 33th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference tenutosi a San Diego CA nel Dicembre 2002.
| Data di pubblicazione: | 2002 |
| Titolo: | Polarity dependent charge Trapping in Thin SiO_2/Al_2O_3 Gate Stacks with Poly-Si Gate Electrodes: Influence of High Temperature Annealing |
| Autore/i: | Lucci, Luca; Pantisano, L.; Cartier, E.; Kerber, A.; Groeseneken, G.; Ho, M. Y.; Green, M.; Selmi, Luca |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Nome del convegno: | 33th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference |
| Luogo del convegno: | San Diego CA |
| Data del convegno: | Dicembre 2002 |
| Citazione: | Polarity dependent charge Trapping in Thin SiO_2/Al_2O_3 Gate Stacks with Poly-Si Gate Electrodes: Influence of High Temperature Annealing / Lucci, Luca; Pantisano, L.; Cartier, E.; Kerber, A.; Groeseneken, G.; Ho, M. Y.; Green, M.; Selmi, Luca. - STAMPA. - (2002). ((Intervento presentato al convegno 33th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference tenutosi a San Diego CA nel Dicembre 2002. |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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| File | Descrizione | Tipologia | |
|---|---|---|---|
| 2002_12_SISC_Lucci_PolarityDependent.pdf | N/A | Administrator Richiedi una copia |
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