Polarity dependent charge Trapping in Thin SiO_2/Al_2O_3 Gate Stacks with Poly-Si Gate Electrodes: Influence of High Temperature Annealing / Lucci, Luca; Pantisano, L.; Cartier, E.; Kerber, A.; Groeseneken, G.; Ho, M. Y.; Green, M.; Selmi, Luca. - STAMPA. - (2002). (Intervento presentato al convegno 33th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference tenutosi a San Diego CA nel Dicembre 2002).

Polarity dependent charge Trapping in Thin SiO_2/Al_2O_3 Gate Stacks with Poly-Si Gate Electrodes: Influence of High Temperature Annealing

SELMI, Luca
2002-01-01
2002
33th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
San Diego CA
Dicembre 2002
Lucci, Luca; Pantisano, L.; Cartier, E.; Kerber, A.; Groeseneken, G.; Ho, M. Y.; Green, M.; Selmi, Luca
Polarity dependent charge Trapping in Thin SiO_2/Al_2O_3 Gate Stacks with Poly-Si Gate Electrodes: Influence of High Temperature Annealing / Lucci, Luca; Pantisano, L.; Cartier, E.; Kerber, A.; Groeseneken, G.; Ho, M. Y.; Green, M.; Selmi, Luca. - STAMPA. - (2002). (Intervento presentato al convegno 33th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference tenutosi a San Diego CA nel Dicembre 2002).
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
2002_12_SISC_Lucci_PolarityDependent.pdf

Accesso riservato

Dimensione 141.27 kB
Formato Adobe PDF
  Visualizza/Apri   Richiedi una copia
141.27 kB Adobe PDF   Visualizza/Apri   Richiedi una copia
Pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/1163364
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact