Comparison of Advanced Transport Models for Nanoscale nMOSFETS

Palestri, Pierpaolo; Alexander, C; Asenov, A; Baccarani, G; Bournel, A; Braccioli, M; Cheng, B; Dollfus, P; Esposito, A; Esseni, David; Ghetti, A; Fiegna, C; Fiori, G; Aubry Fortuna, V; Iannaccone, G; Martinez, A; Majkusiak, B; Monfray, B; Reggiani, S; Riddet, C; Saint Martin, J; Sangiorgi, E; Schenk, A; Selmi, Luca; Silvestri, L; Walczak, J.

doi:10.1109/ULIS.2009.4897554

In this paper we mutually compare advanced modeling approaches for the determination of the drain current in nanoscale MOSFETs. Transport models range from Drift-Diffusion to direct solution of the Boltzmann Transport equation with the Monte-Carlo methods. Template devices representative of 22 nm Double-Gate and 32 nm FDSOI transistors were used as a common benchmark to highlight the differences between the quantitative predictions of different approaches. Our results set a benchmark to assess modeling tools for nanometric MOSFETs.

Comparison of Advanced Transport Models for Nanoscale nMOSFETS / Palestri, Pierpaolo; Alexander, C; Asenov, A; Baccarani, G; Bournel, A; Braccioli, M; Cheng, B; Dollfus, P; Esposito, A; Esseni, David; Ghetti, A; Fiegna, C; Fiori, G; AUBRY FORTUNA, V; Iannaccone, G; Martinez, A; Majkusiak, B; Monfray, B; Reggiani, S; Riddet, C; SAINT MARTIN, J; Sangiorgi, E; Schenk, A; Selmi, Luca; Silvestri, L; Walczak, J.. - (2009), pp. 125-128. ((Intervento presentato al convegno European Workshop on Ultimate Integration of Silicon (ULIS) tenutosi a Aachen (Germania), marzo 2009 nel Marzo 2009.

Data di pubblicazione:	2009
Titolo:	Comparison of Advanced Transport Models for Nanoscale nMOSFETS
Autore/i:	Palestri, Pierpaolo; Alexander, C; Asenov, A; Baccarani, G; Bournel, A; Braccioli, M; Cheng, B; Dollfus, P; Esposito, A; Esseni, David; Ghetti, A; Fiegna, C; Fiori, G; AUBRY FORTUNA, V; Iannaccone, G; Martinez, A; Majkusiak, B; Monfray, B; Reggiani, S; Riddet, C; SAINT MARTIN, J; Sangiorgi, E; Schenk, A; Selmi, Luca; Silvestri, L; Walczak, J.
Autore/i UNIMORE:	PALESTRI, Pierpaolo ALEXANDER C ASENOV A BACCARANI G BOURNEL A BRACCIOLI M CHENG B DOLLFUS P ESPOSITO A ESSENI, David GHETTI A FIEGNA C FIORI G AUBRY FORTUNA V IANNACCONE G MARTINEZ A MAJKUSIAK B MONFRAY B REGGIANI S RIDDET C SAINT MARTIN J SANGIORGI E SCHENK A SELMI, LUCA SILVESTRI L WALCZAK J. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/ULIS.2009.4897554
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-67650690638
Codice identificativo ISI:	WOS:000266761300030
Nome del convegno:	European Workshop on Ultimate Integration of Silicon (ULIS)
Luogo del convegno:	Aachen (Germania), marzo 2009
Data del convegno:	Marzo 2009
Pagina iniziale:	125
Pagina finale:	128
Citazione:	Comparison of Advanced Transport Models for Nanoscale nMOSFETS / Palestri, Pierpaolo; Alexander, C; Asenov, A; Baccarani, G; Bournel, A; Braccioli, M; Cheng, B; Dollfus, P; Esposito, A; Esseni, David; Ghetti, A; Fiegna, C; Fiori, G; AUBRY FORTUNA, V; Iannaccone, G; Martinez, A; Majkusiak, B; Monfray, B; Reggiani, S; Riddet, C; SAINT MARTIN, J; Sangiorgi, E; Schenk, A; Selmi, Luca; Silvestri, L; Walczak, J.. - (2009), pp. 125-128. ((Intervento presentato al convegno European Workshop on Ultimate Integration of Silicon (ULIS) tenutosi a Aachen (Germania), marzo 2009 nel Marzo 2009.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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http://hdl.handle.net/11380/1163320

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