Experimental Application of a Novel Technique to Extract Gate Bias Dependent Source and Drain Parasitic Resistances of GaAs MESFETs / Menozzi, R; Cova, P; Selmi, Luca. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - 36:7(1993), pp. 1083-1087.

Experimental Application of a Novel Technique to Extract Gate Bias Dependent Source and Drain Parasitic Resistances of GaAs MESFETs

SELMI, Luca
1993

36
7
1083
1087
Experimental Application of a Novel Technique to Extract Gate Bias Dependent Source and Drain Parasitic Resistances of GaAs MESFETs / Menozzi, R; Cova, P; Selmi, Luca. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - 36:7(1993), pp. 1083-1087.
Menozzi, R; Cova, P; Selmi, Luca
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