Experimental Application of a Novel Technique to Extract Gate Bias Dependent Source and Drain Parasitic Resistances of GaAs MESFETs / Menozzi, R; Cova, P; Selmi, Luca. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - 36:7(1993), pp. 1083-1087.
Data di pubblicazione: | 1993 |
Titolo: | Experimental Application of a Novel Technique to Extract Gate Bias Dependent Source and Drain Parasitic Resistances of GaAs MESFETs |
Autore/i: | Menozzi, R; Cova, P; Selmi, Luca |
Autore/i UNIMORE: | |
Rivista: | |
Volume: | 36 |
Fascicolo: | 7 |
Pagina iniziale: | 1083 |
Pagina finale: | 1087 |
Codice identificativo ISI: | WOS:A1993LF20500021 |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0027625151 |
Citazione: | Experimental Application of a Novel Technique to Extract Gate Bias Dependent Source and Drain Parasitic Resistances of GaAs MESFETs / Menozzi, R; Cova, P; Selmi, Luca. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - 36:7(1993), pp. 1083-1087. |
Tipologia | Articolo su rivista |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti presenti in Iris Unimore sono rilasciati con licenza Creative Commons Attribuzione - Non commerciale - Non opere derivate 3.0 Italia, salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris