Experimental Application of a Novel Technique to Extract Gate Bias Dependent Source and Drain Parasitic Resistances of GaAs MESFETs / Menozzi, R; Cova, P; Selmi, Luca. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - 36:7(1993), pp. 1083-1087.
Experimental Application of a Novel Technique to Extract Gate Bias Dependent Source and Drain Parasitic Resistances of GaAs MESFETs
SELMI, Luca
1993
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
