Experimental Application of a Novel Technique to Extract Gate Bias Dependent Source and Drain Parasitic Resistances of GaAs MESFETs

Menozzi, R; Cova, P; Selmi, Luca

Experimental Application of a Novel Technique to Extract Gate Bias Dependent Source and Drain Parasitic Resistances of GaAs MESFETs / Menozzi, R; Cova, P; Selmi, Luca. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - 36:7(1993), pp. 1083-1087.

Data di pubblicazione:	1993
Titolo:	Experimental Application of a Novel Technique to Extract Gate Bias Dependent Source and Drain Parasitic Resistances of GaAs MESFETs
Autore/i:	Menozzi, R; Cova, P; Selmi, Luca
Autore/i UNIMORE:	MENOZZI R COVA P SELMI, LUCA mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Rivista:	SOLID-STATE ELECTRONICS
Volume:	36
Fascicolo:	7
Pagina iniziale:	1083
Pagina finale:	1087
Codice identificativo ISI:	WOS:A1993LF20500021
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-0027625151
Citazione:	Experimental Application of a Novel Technique to Extract Gate Bias Dependent Source and Drain Parasitic Resistances of GaAs MESFETs / Menozzi, R; Cova, P; Selmi, Luca. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - 36:7(1993), pp. 1083-1087.
Tipologia	Articolo su rivista

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http://hdl.handle.net/11380/1163274

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