EnglishExperimental Application of a Novel Technique to Extract Gate Bias Dependent Source and Drain Parasitic Resistances of GaAs MESFETs / Menozzi, R; Cova, P; Selmi, Luca. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - 36:7(1993), pp. 1083-1087.
| Data di pubblicazione: | 1993 |
| Titolo: | Experimental Application of a Novel Technique to Extract Gate Bias Dependent Source and Drain Parasitic Resistances of GaAs MESFETs |
| Autore/i: | Menozzi, R; Cova, P; Selmi, Luca |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Rivista: | |
| Volume: | 36 |
| Fascicolo: | 7 |
| Pagina iniziale: | 1083 |
| Pagina finale: | 1087 |
| Codice identificativo ISI: | WOS:A1993LF20500021 |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0027625151 |
| Citazione: | Experimental Application of a Novel Technique to Extract Gate Bias Dependent Source and Drain Parasitic Resistances of GaAs MESFETs / Menozzi, R; Cova, P; Selmi, Luca. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - 36:7(1993), pp. 1083-1087. |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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http://hdl.handle.net/11380/1163274
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