In this paper, and in Part II, Monte Carlo (MC) simulations including quantum corrections to the potential and calibrated scattering models are used to study electronic transport in bulk and double-gate silicon-on-insulator MOSFETs with L-G down to 14-nm designed according to the 2003 International Technology Roadmap for Semiconductors. Simulations with and without scattering are used to assess the influence of quasi-ballistic transport on the MOSFET on-current. We analyze in detail the flux of back-scattered carriers. The role of scattering in different parts of the device is clarified and the MC results are compared to simple models for quasi-ballistic transport presented in the literature.
Understanding Quasi-Ballistic Transport in nano-MOSFETs. Part I:Scattering in the Channel and in the Drain / Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; S., Eminente; C., Fiegna; E., Sangiorgi; Selmi, Luca. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - vol.52, n.12:12(2005), pp. 2727-2735. [10.1109/TED.2005.859593]
Data di pubblicazione: | 2005 | |
Titolo: | Understanding Quasi-Ballistic Transport in nano-MOSFETs. Part I:Scattering in the Channel and in the Drain | |
Autore/i: | Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; S., Eminente; C., Fiegna; E., Sangiorgi; Selmi, Luca | |
Autore/i UNIMORE: | ||
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/TED.2005.859593 | |
Rivista: | ||
Volume: | vol.52, n.12 | |
Fascicolo: | 12 | |
Pagina iniziale: | 2727 | |
Pagina finale: | 2735 | |
Codice identificativo ISI: | WOS:000233682200027 | |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-29244435059 | |
Citazione: | Understanding Quasi-Ballistic Transport in nano-MOSFETs. Part I:Scattering in the Channel and in the Drain / Palestri, Pierpaolo; Esseni, David; S., Eminente; C., Fiegna; E., Sangiorgi; Selmi, Luca. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - vol.52, n.12:12(2005), pp. 2727-2735. [10.1109/TED.2005.859593] | |
Tipologia | Articolo su rivista |
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