EnglishTechnology Oriented Analytical Models of MOSFETs in the Quasi Ballistic Regime / Clerc, R; Rafhay, Q; Ferrier, M; Palestri, Pierpaolo; Ghibaudo, G; Selmi, Luca. - (2007), pp. 42-43. ((Intervento presentato al convegno International Conference on Solid-State Devices and Materials (SSDM) tenutosi a Epochal Tsukuba, Ibaraki (Japan) nel 18-21/09/2007.
| Data di pubblicazione: | 2007 |
| Titolo: | Technology Oriented Analytical Models of MOSFETs in the Quasi Ballistic Regime |
| Autore/i: | Clerc, R; Rafhay, Q; Ferrier, M; Palestri, Pierpaolo; Ghibaudo, G; Selmi, Luca |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Nome del convegno: | International Conference on Solid-State Devices and Materials (SSDM) |
| Luogo del convegno: | Epochal Tsukuba, Ibaraki (Japan) |
| Data del convegno: | 18-21/09/2007 |
| Pagina iniziale: | 42 |
| Pagina finale: | 43 |
| Citazione: | Technology Oriented Analytical Models of MOSFETs in the Quasi Ballistic Regime / Clerc, R; Rafhay, Q; Ferrier, M; Palestri, Pierpaolo; Ghibaudo, G; Selmi, Luca. - (2007), pp. 42-43. ((Intervento presentato al convegno International Conference on Solid-State Devices and Materials (SSDM) tenutosi a Epochal Tsukuba, Ibaraki (Japan) nel 18-21/09/2007. |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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| File | Descrizione | Tipologia | |
|---|---|---|---|
| 2007_09_SSDM_Clerc_TechnologyOrientedAnalytical.pdf | N/A | Administrator Richiedi una copia |
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