Mobility in Single and Double Gate Ultra-Thin SOI MOSFETs

Esseni, David; Mastrapasqua, M.; Fiegna, C.; Celler, G. K.; Selmi, Luca; Sangiorgi, E.

Mobility in Single and Double Gate Ultra-Thin SOI MOSFETs / Esseni, David; M., Mastrapasqua; C., Fiegna; G. K., Celler; Selmi, Luca; E., Sangiorgi. - STAMPA. - (2001), p. 87. ((Intervento presentato al convegno European Workshop on Ultimate Integration of Silicon (ULIS).

Data di pubblicazione:	2001
Titolo:	Mobility in Single and Double Gate Ultra-Thin SOI MOSFETs
Autore/i:	Esseni, David; M., Mastrapasqua; C., Fiegna; G. K., Celler; Selmi, Luca; E., Sangiorgi
Autore/i UNIMORE:	ESSENI, David M. MASTRAPASQUA C. FIEGNA G. K. CELLER SELMI, LUCA E. SANGIORGI mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Nome del convegno:	European Workshop on Ultimate Integration of Silicon (ULIS)
Pagina iniziale:	87
Citazione:	Mobility in Single and Double Gate Ultra-Thin SOI MOSFETs / Esseni, David; M., Mastrapasqua; C., Fiegna; G. K., Celler; Selmi, Luca; E., Sangiorgi. - STAMPA. - (2001), p. 87. ((Intervento presentato al convegno European Workshop on Ultimate Integration of Silicon (ULIS).
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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http://hdl.handle.net/11380/1163208

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