EnglishHot Hole Gate Current in Surface Channel p-MOSFETs / Driussi, Francesco; Esseni, David; Selmi, Luca; Piazza, F.. - In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. - ISSN 0741-3106. - 22(2001), pp. 29-31. [10.1109/55.892434]
| Data di pubblicazione: | 2001 | |
| Titolo: | Hot Hole Gate Current in Surface Channel p-MOSFETs | |
| Autore/i: | Driussi, Francesco; Esseni, David; Selmi, Luca; Piazza, F. | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/55.892434 | |
| Rivista: | ||
| Volume: | 22 | |
| Pagina iniziale: | 29 | |
| Pagina finale: | 31 | |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000166137300010 | |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0035124153 | |
| Citazione: | Hot Hole Gate Current in Surface Channel p-MOSFETs / Driussi, Francesco; Esseni, David; Selmi, Luca; Piazza, F.. - In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. - ISSN 0741-3106. - 22(2001), pp. 29-31. [10.1109/55.892434] | |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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http://hdl.handle.net/11380/1163206
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