EnglishDamage generation and location in n- and p-MOSFETs biased in the substrate-enhanced gate current regime / Driussi, Francesco; Esseni, David; Selmi, Luca; Fausto, Piazza. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 49:5(2002), pp. 787-794. [10.1109/16.998585]
| Data di pubblicazione: | 2002 | |
| Titolo: | Damage generation and location in n- and p-MOSFETs biased in the substrate-enhanced gate current regime | |
| Autore/i: | Driussi, Francesco; Esseni, David; Selmi, Luca; Fausto, Piazza | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/16.998585 | |
| Rivista: | ||
| Volume: | 49 | |
| Fascicolo: | 5 | |
| Pagina iniziale: | 787 | |
| Pagina finale: | 794 | |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000175235300011 | |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0036564353 | |
| Citazione: | Damage generation and location in n- and p-MOSFETs biased in the substrate-enhanced gate current regime / Driussi, Francesco; Esseni, David; Selmi, Luca; Fausto, Piazza. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 49:5(2002), pp. 787-794. [10.1109/16.998585] | |
| Tipologia | Articolo su rivista |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
Loading suggested articles...
Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento:
http://hdl.handle.net/11380/1163165
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
Copyright © 2022