EnglishDamage generation and location in n- and p-MOSFETs biased in the substrate-enhanced gate current regime / Driussi, Francesco; Esseni, David; Selmi, Luca; Fausto, Piazza. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 49:5(2002), pp. 787-794. [10.1109/16.998585]
| Data di pubblicazione: | 2002 | |
| Titolo: | Damage generation and location in n- and p-MOSFETs biased in the substrate-enhanced gate current regime | |
| Autore/i: | Driussi, Francesco; Esseni, David; Selmi, Luca; Fausto, Piazza | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/16.998585 | |
| Rivista: | ||
| Volume: | 49 | |
| Fascicolo: | 5 | |
| Pagina iniziale: | 787 | |
| Pagina finale: | 794 | |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000175235300011 | |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0036564353 | |
| Citazione: | Damage generation and location in n- and p-MOSFETs biased in the substrate-enhanced gate current regime / Driussi, Francesco; Esseni, David; Selmi, Luca; Fausto, Piazza. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 49:5(2002), pp. 787-794. [10.1109/16.998585] | |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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http://hdl.handle.net/11380/1163165
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