Characterization of Transient Effects in the S-Parameters of GaAs MESFETs by means of Pulsed Measurements / Begin, M; GHANNOUCHI F., M; Beauregard, F; Selmi, Luca; Ricco, B; Borelli, V.. - (1994), pp. 639-642. ((Intervento presentato al convegno ESSDERC 1994.

Characterization of Transient Effects in the S-Parameters of GaAs MESFETs by means of Pulsed Measurements

SELMI, Luca;
1994

ESSDERC 1994
639
642
Begin, M; GHANNOUCHI F., M; Beauregard, F; Selmi, Luca; Ricco, B; Borelli, V.
Characterization of Transient Effects in the S-Parameters of GaAs MESFETs by means of Pulsed Measurements / Begin, M; GHANNOUCHI F., M; Beauregard, F; Selmi, Luca; Ricco, B; Borelli, V.. - (1994), pp. 639-642. ((Intervento presentato al convegno ESSDERC 1994.
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

Caricamento pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11380/1163164
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 0
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact