Measurements of Low field mobiliy in ultra-thin SOI n- and p-mosfets / Mastrapasqua, M; Esseni, D; Celler, G; Baumann, F; Fiegna, C; Selmi, L; Sangiorgi, E. - STAMPA. - (2001), pp. 97-102. (Intervento presentato al convegno International ECS Symposium on Silicon-on-insulator technology and devices nel 2001).

Measurements of Low field mobiliy in ultra-thin SOI n- and p-mosfets

SELMI L;
2001
2001
International ECS Symposium on Silicon-on-insulator technology and devices
2001
97
102
Mastrapasqua, M; Esseni, D; Celler, G; Baumann, F; Fiegna, C; Selmi, L; Sangiorgi, E
Measurements of Low field mobiliy in ultra-thin SOI n- and p-mosfets / Mastrapasqua, M; Esseni, D; Celler, G; Baumann, F; Fiegna, C; Selmi, L; Sangiorgi, E. - STAMPA. - (2001), pp. 97-102. (Intervento presentato al convegno International ECS Symposium on Silicon-on-insulator technology and devices nel 2001).
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/1163155
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact