Mobility Extraction of UTB n-MOSFETs down to 0.9 nm SOI thickness

Schmidt, M; Lemme M., C; Gottlob H. D., B; Kurz, H; Driussi, Francesco; Selmi, Luca

doi:10.1109/ULIS.2009.4897531

In this abstract, the impact of series resistance on mobility extraction in conventional and recessed-gate ultra thin body (UTB) n-MOSFETs is investigated. High series resistance leads to an overestimation of the internal source/drain voltage and influences the measurement of the gate to channel capacitance. A specific MOSFET design that includes additional channel contacts and recessed gate technology are used to successfully extract mobility down to 0.9 nm silicon film thickness (4 atomic layers). Quantum mechanical effects are found to shift the threshold voltage and degrade mobility at these extreme scaling limits.

Mobility Extraction of UTB n-MOSFETs down to 0.9 nm SOI thickness / Schmidt, M; LEMME M., C; GOTTLOB H. D., B; Kurz, H; Driussi, Francesco; Selmi, Luca. - (2009), pp. 27-30. ((Intervento presentato al convegno International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS) tenutosi a Aachen (D) nel Marzo 2009 [10.1109/ULIS.2009.4897531].

Data di pubblicazione:	2009
Titolo:	Mobility Extraction of UTB n-MOSFETs down to 0.9 nm SOI thickness
Autore/i:	Schmidt, M; LEMME M., C; GOTTLOB H. D., B; Kurz, H; Driussi, Francesco; Selmi, Luca
Autore/i UNIMORE:	SCHMIDT M LEMME M. C GOTTLOB H. D. B KURZ H DRIUSSI, Francesco SELMI, LUCA mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/ULIS.2009.4897531
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-67650676834
Codice identificativo ISI:	WOS:000266761300007
Nome del convegno:	International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS)
Luogo del convegno:	Aachen (D)
Data del convegno:	Marzo 2009
Pagina iniziale:	27
Pagina finale:	30
Citazione:	Mobility Extraction of UTB n-MOSFETs down to 0.9 nm SOI thickness / Schmidt, M; LEMME M., C; GOTTLOB H. D., B; Kurz, H; Driussi, Francesco; Selmi, Luca. - (2009), pp. 27-30. ((Intervento presentato al convegno International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS) tenutosi a Aachen (D) nel Marzo 2009 [10.1109/ULIS.2009.4897531].
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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