In this abstract, the impact of series resistance on mobility extraction in conventional and recessed-gate ultra thin body (UTB) n-MOSFETs is investigated. High series resistance leads to an overestimation of the internal source/drain voltage and influences the measurement of the gate to channel capacitance. A specific MOSFET design that includes additional channel contacts and recessed gate technology are used to successfully extract mobility down to 0.9 nm silicon film thickness (4 atomic layers). Quantum mechanical effects are found to shift the threshold voltage and degrade mobility at these extreme scaling limits.
Mobility Extraction of UTB n-MOSFETs down to 0.9 nm SOI thickness / Schmidt, M; LEMME M., C; GOTTLOB H. D., B; Kurz, H; Driussi, Francesco; Selmi, Luca. - (2009), pp. 27-30. ((Intervento presentato al convegno International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS) tenutosi a Aachen (D) nel Marzo 2009 [10.1109/ULIS.2009.4897531].
Data di pubblicazione: | 2009 | |
Titolo: | Mobility Extraction of UTB n-MOSFETs down to 0.9 nm SOI thickness | |
Autore/i: | Schmidt, M; LEMME M., C; GOTTLOB H. D., B; Kurz, H; Driussi, Francesco; Selmi, Luca | |
Autore/i UNIMORE: | ||
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/ULIS.2009.4897531 | |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-67650676834 | |
Codice identificativo ISI: | WOS:000266761300007 | |
Nome del convegno: | International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS) | |
Luogo del convegno: | Aachen (D) | |
Data del convegno: | Marzo 2009 | |
Pagina iniziale: | 27 | |
Pagina finale: | 30 | |
Citazione: | Mobility Extraction of UTB n-MOSFETs down to 0.9 nm SOI thickness / Schmidt, M; LEMME M., C; GOTTLOB H. D., B; Kurz, H; Driussi, Francesco; Selmi, Luca. - (2009), pp. 27-30. ((Intervento presentato al convegno International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS) tenutosi a Aachen (D) nel Marzo 2009 [10.1109/ULIS.2009.4897531]. | |
Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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