Optimization of the Channel Lateral Strain Profile for Improved Performance of Multi-Gate MOSFETs

De Michielis, M.; Boucart, K.; Moselund, K. E.; Bouvet, D.; Dosbroz, P.; Olsen, S.; O’Neil, A.; Lattanzio, L.; Selmi, Luca; Ionescu, A. M.

doi:10.1109/VTSA.2009.5159319

We report for the first time the optimization of the channel lateral strain profile as a new technological booster for improved performance of multi-gate n-channel MOSFET. We find that quasi-uniform or flat-Gaussian-close-to-the-drain profiles are optimum for the Ion boosting of sub-50 nm scaled MOSFETs, while the penalty on Ioff and subthreshold slope is minimum. The reported predictions use realistic lateral uniaxial strain profiles, with peaks up to few GPa's and average values of hundreds of MPa's.

Optimization of the Channel Lateral Strain Profile for Improved Performance of Multi-Gate MOSFETs / M., De Michielis; K., Boucart; K. E., Moselund; D., Bouvet; P., Dosbroz; S., Olsen; A., O’Neil; L., Lattanzio; Selmi, Luca; A. M., Ionescu. - (2009), pp. 119-120. ((Intervento presentato al convegno VLSI-TSA International Conference tenutosi a Taiwan.

Data di pubblicazione:	2009
Titolo:	Optimization of the Channel Lateral Strain Profile for Improved Performance of Multi-Gate MOSFETs
Autore/i:	M., De Michielis; K., Boucart; K. E., Moselund; D., Bouvet; P., Dosbroz; S., Olsen; A., O’Neil; L., Lattanzio; Selmi, Luca; A. M., Ionescu
Autore/i UNIMORE:	M. De Michielis K. Boucart K. E. MOSELUND D. Bouvet P. Dosbroz S. Olsen A. O’Neil L. Lattanzio SELMI, LUCA A. M. Ionescu mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/VTSA.2009.5159319
Nome del convegno:	VLSI-TSA International Conference
Luogo del convegno:	Taiwan
Pagina iniziale:	119
Pagina finale:	120
Citazione:	Optimization of the Channel Lateral Strain Profile for Improved Performance of Multi-Gate MOSFETs / M., De Michielis; K., Boucart; K. E., Moselund; D., Bouvet; P., Dosbroz; S., Olsen; A., O’Neil; L., Lattanzio; Selmi, Luca; A. M., Ionescu. - (2009), pp. 119-120. ((Intervento presentato al convegno VLSI-TSA International Conference tenutosi a Taiwan.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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http://hdl.handle.net/11380/1163116

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