EnglishThe Impact of Device Design on the Substrate Enhanced Gate Current of VLSI MOSFET's / Esseni, David; Selmi, Luca; Bez, R.. - (1998), pp. 288-291. ((Intervento presentato al convegno European Solid State Device Research tenutosi a Bordeaux, France nel 1998.
| Data di pubblicazione: | 1998 | |
| Titolo: | The Impact of Device Design on the Substrate Enhanced Gate Current of VLSI MOSFET's | |
| Autore/i: | Esseni, David; Selmi, Luca; Bez, R. | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-84908181260 | |
| Nome del convegno: | European Solid State Device Research | |
| Luogo del convegno: | Bordeaux, France | |
| Data del convegno: | 1998 | |
| Pagina iniziale: | 288 | |
| Pagina finale: | 291 | |
| Citazione: | The Impact of Device Design on the Substrate Enhanced Gate Current of VLSI MOSFET's / Esseni, David; Selmi, Luca; Bez, R.. - (1998), pp. 288-291. ((Intervento presentato al convegno European Solid State Device Research tenutosi a Bordeaux, France nel 1998. | |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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