The Impact of Device Design on the Substrate Enhanced Gate Current of VLSI MOSFET's / Esseni, David; Selmi, Luca; Bez, R.. - (1998), pp. 288-291. (Intervento presentato al convegno European Solid State Device Research tenutosi a Bordeaux, France nel 1998).

The Impact of Device Design on the Substrate Enhanced Gate Current of VLSI MOSFET's

SELMI, Luca;
1998

1998
European Solid State Device Research
Bordeaux, France
1998
288
291
Esseni, David; Selmi, Luca; Bez, R.
The Impact of Device Design on the Substrate Enhanced Gate Current of VLSI MOSFET's / Esseni, David; Selmi, Luca; Bez, R.. - (1998), pp. 288-291. (Intervento presentato al convegno European Solid State Device Research tenutosi a Bordeaux, France nel 1998).
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/1163098
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 0
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact