Silicon Luminescence Techniques for the Characterization of Hot-Carrier and Degradation Phenomena in MOS Devices / Selmi, Luca. - In: MICROELECTRONIC ENGINEERING. - ISSN 0167-9317. - 28:1(1995), pp. 250-257.

Silicon Luminescence Techniques for the Characterization of Hot-Carrier and Degradation Phenomena in MOS Devices

SELMI, Luca
1995
1995
28
1
250
257
WOS:A1995RD49200051
2-s2.0-0029324128
Silicon Luminescence Techniques for the Characterization of Hot-Carrier and Degradation Phenomena in MOS Devices / Selmi, Luca. - In: MICROELECTRONIC ENGINEERING. - ISSN 0167-9317. - 28:1(1995), pp. 250-257.
Selmi, Luca
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/1163083
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 11
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 9
social impact