Temperature Dependence of Gate and Substrate Currents in the CHE Crossover Regime / Esseni, David; Selmi, Luca; Sangiorgi, E; Bez, R; Ricco, B.. - In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. - ISSN 0741-3106. - 16:11(1995), pp. 506-508. [10.1109/55.468282]
Data di pubblicazione: | 1995 | |
Titolo: | Temperature Dependence of Gate and Substrate Currents in the CHE Crossover Regime | |
Autore/i: | Esseni, David; Selmi, Luca; Sangiorgi, E; Bez, R; Ricco, B. | |
Autore/i UNIMORE: | ||
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/55.468282 | |
Rivista: | ||
Volume: | 16 | |
Fascicolo: | 11 | |
Pagina iniziale: | 506 | |
Pagina finale: | 508 | |
Codice identificativo ISI: | WOS:A1995TA68100013 | |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0029406134 | |
Citazione: | Temperature Dependence of Gate and Substrate Currents in the CHE Crossover Regime / Esseni, David; Selmi, Luca; Sangiorgi, E; Bez, R; Ricco, B.. - In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. - ISSN 0741-3106. - 16:11(1995), pp. 506-508. [10.1109/55.468282] | |
Tipologia | Articolo su rivista |
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