Temperature Dependence of Gate and Substrate Currents in the CHE Crossover Regime

Esseni, David; Selmi, Luca; Sangiorgi, E; Bez, R; Ricco, B.

doi:10.1109/55.468282

Temperature Dependence of Gate and Substrate Currents in the CHE Crossover Regime / Esseni, David; Selmi, Luca; Sangiorgi, E; Bez, R; Ricco, B.. - In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. - ISSN 0741-3106. - 16:11(1995), pp. 506-508.

Data di pubblicazione:	1995
Titolo:	Temperature Dependence of Gate and Substrate Currents in the CHE Crossover Regime
Autore/i:	Esseni, David; Selmi, Luca; Sangiorgi, E; Bez, R; Ricco, B.
Autore/i UNIMORE:	ESSENI, David SELMI, LUCA SANGIORGI, E BEZ, R RICCO, B. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/55.468282
Rivista:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
Volume:	16
Fascicolo:	11
Pagina iniziale:	506
Pagina finale:	508
Codice identificativo ISI:	WOS:A1995TA68100013
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-0029406134
Citazione:	Temperature Dependence of Gate and Substrate Currents in the CHE Crossover Regime / Esseni, David; Selmi, Luca; Sangiorgi, E; Bez, R; Ricco, B.. - In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. - ISSN 0741-3106. - 16:11(1995), pp. 506-508.
Tipologia	Articolo su rivista

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http://hdl.handle.net/11380/1163052

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