EnglishThis letter investigates the definition and determination of mobility in nanometric metal–oxide–semiconductor transistors by means of multisubband Monte Carlo simulations. Our results clearly show that the transport in nano-MOSFETs, even for very small VDS, is far from being uniform and local. Consequently, the apparent mobility extracted from the experiments is a channel-length-dependent quantity, which is only partly related to the uniform transport mobility. Our study comprises both the electrical and magnetoresistance mobility.
On the Apparent Mobility in Nanometric n-MOSFETs / Zilli, M; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca. - In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. - ISSN 0741-3106. - 28(2007), pp. 1036-1039.
| Data di pubblicazione: | 2007 |
| Titolo: | On the Apparent Mobility in Nanometric n-MOSFETs |
| Autore/i: | Zilli, M; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/LED.2007.907553 |
| Rivista: | |
| Volume: | 28 |
| Pagina iniziale: | 1036 |
| Pagina finale: | 1039 |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000250524200031 |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-36148961269 |
| Citazione: | On the Apparent Mobility in Nanometric n-MOSFETs / Zilli, M; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca. - In: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. - ISSN 0741-3106. - 28(2007), pp. 1036-1039. |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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| File | Descrizione | Tipologia | |
|---|---|---|---|
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http://hdl.handle.net/11380/1163023
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