Design and evaluation of mixed 3T-4T FinFET stacks for leakage reduction

Agostinelli, M; Alioto, M; Esseni, David; Selmi, Luca

doi:10.1007/978-3-540-95948-9_4

In this paper, FinFET stacks consisting of mixed three- (3T) and four-terminal (4T) devices are analyzed in terms of leakage. A novel figure of merit is introduced, and closed-form leakage models are derived. Analytical results are used to derive simple design criteria to minimize the leakage by properly mixing 3T and 4T devices in transistor stacks. The comparison with a bulk technology shows that properly designed FinFET circuits are able to reduce the leakage by one or two orders of magnitude.

Design and evaluation of mixed 3T-4T FinFET stacks for leakage reduction / Agostinelli, M; Alioto, M; Esseni, David; Selmi, Luca. - (2009), pp. 31-41. ((Intervento presentato al convegno International Workshop on Power And Timing Modeling, Optimization and Simulation (PATMOS) tenutosi a Lisboa (Portogallo) nel settembre.

Data di pubblicazione:	2009
Titolo:	Design and evaluation of mixed 3T-4T FinFET stacks for leakage reduction
Autore/i:	Agostinelli, M; Alioto, M; Esseni, David; Selmi, Luca
Autore/i UNIMORE:	AGOSTINELLI M ALIOTO M ESSENI, David SELMI, LUCA mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1007/978-3-540-95948-9_4
Nome del convegno:	International Workshop on Power And Timing Modeling, Optimization and Simulation (PATMOS)
Luogo del convegno:	Lisboa (Portogallo)
Data del convegno:	settembre
Pagina iniziale:	31
Pagina finale:	41
Citazione:	Design and evaluation of mixed 3T-4T FinFET stacks for leakage reduction / Agostinelli, M; Alioto, M; Esseni, David; Selmi, Luca. - (2009), pp. 31-41. ((Intervento presentato al convegno International Workshop on Power And Timing Modeling, Optimization and Simulation (PATMOS) tenutosi a Lisboa (Portogallo) nel settembre.
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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2008_09_PATMOS_Agostinelli_DesignEvaluationMixed.pdf		N/A	Administrator Richiedi una copia

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http://hdl.handle.net/11380/1163014

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