Low Field Electron and Hole Mobility of SOI Transistors Fabricated on Ultra-Thin Silicon Films for Deep Sub-Micron Technology Application / Esseni, David; Mastrapasqua, M.; Celler, G.; Fiegna, C.; Selmi, Luca. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 48:12(2001), pp. 2842-2850. [10.1109/16.974714]
Low Field Electron and Hole Mobility of SOI Transistors Fabricated on Ultra-Thin Silicon Films for Deep Sub-Micron Technology Application
SELMI, Luca
2001
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris