EnglishAn Experimental Study of Mobility Enhacement in Ultra-Thin SOI Transistors Operated in Double-Gate Mode / Esseni, David; M., Mastrapasqua; G. K., Celler; C., Fiegna; Selmi, Luca; E., Sangiorgi. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 50(2003), pp. 802-808. [10.1109/TED.2002.807444]
| Data di pubblicazione: | 2003 | |
| Titolo: | An Experimental Study of Mobility Enhacement in Ultra-Thin SOI Transistors Operated in Double-Gate Mode | |
| Autore/i: | Esseni, David; M., Mastrapasqua; G. K., Celler; C., Fiegna; Selmi, Luca; E., Sangiorgi | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/TED.2002.807444 | |
| Rivista: | ||
| Volume: | 50 | |
| Pagina iniziale: | 802 | |
| Pagina finale: | 808 | |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000183267500027 | |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0037870335 | |
| Citazione: | An Experimental Study of Mobility Enhacement in Ultra-Thin SOI Transistors Operated in Double-Gate Mode / Esseni, David; M., Mastrapasqua; G. K., Celler; C., Fiegna; Selmi, Luca; E., Sangiorgi. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 50(2003), pp. 802-808. [10.1109/TED.2002.807444] | |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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http://hdl.handle.net/11380/1162958
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