An Experimental Study of Mobility Enhacement in Ultra-Thin SOI Transistors Operated in Double-Gate Mode

Esseni, David; Mastrapasqua, M.; Celler, G. K.; Fiegna, C.; Selmi, Luca; Sangiorgi, E.

doi:10.1109/TED.2002.807444

An Experimental Study of Mobility Enhacement in Ultra-Thin SOI Transistors Operated in Double-Gate Mode / Esseni, David; M., Mastrapasqua; G. K., Celler; C., Fiegna; Selmi, Luca; E., Sangiorgi. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 50(2003), pp. 802-808.

Data di pubblicazione:	2003
Titolo:	An Experimental Study of Mobility Enhacement in Ultra-Thin SOI Transistors Operated in Double-Gate Mode
Autore/i:	Esseni, David; M., Mastrapasqua; G. K., Celler; C., Fiegna; Selmi, Luca; E., Sangiorgi
Autore/i UNIMORE:	ESSENI, David M. MASTRAPASQUA G. K. CELLER C. FIEGNA SELMI, LUCA E. SANGIORGI mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/TED.2002.807444
Rivista:	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
Volume:	50
Pagina iniziale:	802
Pagina finale:	808
Codice identificativo ISI:	WOS:000183267500027
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-0037870335
Citazione:	An Experimental Study of Mobility Enhacement in Ultra-Thin SOI Transistors Operated in Double-Gate Mode / Esseni, David; M., Mastrapasqua; G. K., Celler; C., Fiegna; Selmi, Luca; E., Sangiorgi. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 50(2003), pp. 802-808.
Tipologia	Articolo su rivista

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http://hdl.handle.net/11380/1162958

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