An Experimental Study of Mobility Enhacement in Ultra-Thin SOI Transistors Operated in Double-Gate Mode / Esseni, David; M., Mastrapasqua; G. K., Celler; C., Fiegna; Selmi, Luca; E., Sangiorgi. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 50:(2003), pp. 802-808. [10.1109/TED.2002.807444]

An Experimental Study of Mobility Enhacement in Ultra-Thin SOI Transistors Operated in Double-Gate Mode

SELMI, Luca;
2003

2003
50
802
808
An Experimental Study of Mobility Enhacement in Ultra-Thin SOI Transistors Operated in Double-Gate Mode / Esseni, David; M., Mastrapasqua; G. K., Celler; C., Fiegna; Selmi, Luca; E., Sangiorgi. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 50:(2003), pp. 802-808. [10.1109/TED.2002.807444]
Esseni, David; M., Mastrapasqua; G. K., Celler; C., Fiegna; Selmi, Luca; E., Sangiorgi
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/1162958
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 107
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 94
social impact