An Experimental Study of Mobility Enhacement in Ultra-Thin SOI Transistors Operated in Double-Gate Mode / Esseni, David; M., Mastrapasqua; G. K., Celler; C., Fiegna; Selmi, Luca; E., Sangiorgi. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 50(2003), pp. 802-808. [10.1109/TED.2002.807444]
Data di pubblicazione: | 2003 | |
Titolo: | An Experimental Study of Mobility Enhacement in Ultra-Thin SOI Transistors Operated in Double-Gate Mode | |
Autore/i: | Esseni, David; M., Mastrapasqua; G. K., Celler; C., Fiegna; Selmi, Luca; E., Sangiorgi | |
Autore/i UNIMORE: | ||
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/TED.2002.807444 | |
Rivista: | ||
Volume: | 50 | |
Pagina iniziale: | 802 | |
Pagina finale: | 808 | |
Codice identificativo ISI: | WOS:000183267500027 | |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0037870335 | |
Citazione: | An Experimental Study of Mobility Enhacement in Ultra-Thin SOI Transistors Operated in Double-Gate Mode / Esseni, David; M., Mastrapasqua; G. K., Celler; C., Fiegna; Selmi, Luca; E., Sangiorgi. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 50(2003), pp. 802-808. [10.1109/TED.2002.807444] | |
Tipologia | Articolo su rivista |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
Loading suggested articles...

I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris