Comparative Analysis of Basic Transport Properties in the Inversion Layer of Bulk and SOI MOSFETs: a Monte-Carlo Study / Lucci, Luca; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca. - (2004), pp. 321-324. (Intervento presentato al convegno ESSCIRC 2004 - Proceedings of the 34th European Solid-State Device Research Conference tenutosi a Leuven, bel nel Sept. 2004) [10.1109/ESSDER.2004.1356554].

Comparative Analysis of Basic Transport Properties in the Inversion Layer of Bulk and SOI MOSFETs: a Monte-Carlo Study

PALESTRI, Pierpaolo;SELMI, Luca
2004
2004
ESSCIRC 2004 - Proceedings of the 34th European Solid-State Device Research Conference
Leuven, bel
Sept. 2004
WOS:000225486100073
2-s2.0-17644370378
321
324
Lucci, Luca; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca
Comparative Analysis of Basic Transport Properties in the Inversion Layer of Bulk and SOI MOSFETs: a Monte-Carlo Study / Lucci, Luca; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca. - (2004), pp. 321-324. (Intervento presentato al convegno ESSCIRC 2004 - Proceedings of the 34th European Solid-State Device Research Conference tenutosi a Leuven, bel nel Sept. 2004) [10.1109/ESSDER.2004.1356554].
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