Comparative Analysis of Basic Transport Properties in the Inversion Layer of Bulk and SOI MOSFETs: a Monte-Carlo Study / Lucci, Luca; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca. - (2004), pp. 321-324. (Intervento presentato al convegno ESSCIRC 2004 - Proceedings of the 34th European Solid-State Device Research Conference tenutosi a Leuven, bel nel Sept. 2004) [10.1109/ESSDER.2004.1356554].

Comparative Analysis of Basic Transport Properties in the Inversion Layer of Bulk and SOI MOSFETs: a Monte-Carlo Study

SELMI, Luca
2004-01-01
2004
ESSCIRC 2004 - Proceedings of the 34th European Solid-State Device Research Conference
Leuven, bel
Sept. 2004
WOS:000225486100073
2-s2.0-17644370378
321
324
Lucci, Luca; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca
Comparative Analysis of Basic Transport Properties in the Inversion Layer of Bulk and SOI MOSFETs: a Monte-Carlo Study / Lucci, Luca; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca. - (2004), pp. 321-324. (Intervento presentato al convegno ESSCIRC 2004 - Proceedings of the 34th European Solid-State Device Research Conference tenutosi a Leuven, bel nel Sept. 2004) [10.1109/ESSDER.2004.1356554].
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/1162934
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 8
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 6
social impact