Numerical Analysis of the Gate Voltage Dependence of the Series Resistances and Effective Channel Length in sub-micron GaAs MESFETs / Selmi, Luca; Menozzi, R; Gandolfi, P; Ricco, B.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 39:9(1992), pp. 2015-2020.
Numerical Analysis of the Gate Voltage Dependence of the Series Resistances and Effective Channel Length in sub-micron GaAs MESFETs
SELMI, Luca;
1992-01-01
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
