An innovative Six-Port Network Analyzer (SPNA) for characterizing GaAs MESFETs under pulsed bias and RF conditions is presented in this paper. This SPNA allows the measurements of instantaneous S parameters of microwave active devices. These S parameters may then be used to extract the electrical model elements (Cgs, Cgd, Gds, Gm, etc.) of the MESFET using standard procedures [1]. This system is particularly suitable for studying trapping and self-heating effects in GaAs devices.
Instanteneous S parameters measurements of MESFETs under burst bias conditions / Begin, F; Ghannouchi F., M; Selmi, Luca; Ricco, B.. - 2(1994), pp. 858-861. ((Intervento presentato al convegno 1994 IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference, IMTC 1994 tenutosi a Hamamatsu, Japan nel 1994 [10.1109/IMTC.1994.351974].
Data di pubblicazione: | 1994 | |
Titolo: | Instanteneous S parameters measurements of MESFETs under burst bias conditions | |
Autore/i: | Begin, F; Ghannouchi F., M; Selmi, Luca; Ricco, B. | |
Autore/i UNIMORE: | ||
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/IMTC.1994.351974 | |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-85064602362 | |
Codice identificativo ISI: | WOS:A1994BC27G00225 | |
Nome del convegno: | 1994 IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference, IMTC 1994 | |
Luogo del convegno: | Hamamatsu, Japan | |
Data del convegno: | 1994 | |
Volume: | 2 | |
Pagina iniziale: | 858 | |
Pagina finale: | 861 | |
Citazione: | Instanteneous S parameters measurements of MESFETs under burst bias conditions / Begin, F; Ghannouchi F., M; Selmi, Luca; Ricco, B.. - 2(1994), pp. 858-861. ((Intervento presentato al convegno 1994 IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference, IMTC 1994 tenutosi a Hamamatsu, Japan nel 1994 [10.1109/IMTC.1994.351974]. | |
Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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