Instanteneous S parameters measurements of MESFETs under burst bias conditions

Begin, F; Ghannouchi F., M; Selmi, Luca; Ricco, B.

doi:10.1109/IMTC.1994.351974

An innovative Six-Port Network Analyzer (SPNA) for characterizing GaAs MESFETs under pulsed bias and RF conditions is presented in this paper. This SPNA allows the measurements of instantaneous S parameters of microwave active devices. These S parameters may then be used to extract the electrical model elements (Cgs, Cgd, Gds, Gm, etc.) of the MESFET using standard procedures [1]. This system is particularly suitable for studying trapping and self-heating effects in GaAs devices.

Instanteneous S parameters measurements of MESFETs under burst bias conditions / Begin, F; Ghannouchi F., M; Selmi, Luca; Ricco, B.. - 2(1994), pp. 858-861. ((Intervento presentato al convegno 1994 IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference, IMTC 1994 tenutosi a Hamamatsu, Japan nel 1994 [10.1109/IMTC.1994.351974].

Data di pubblicazione:	1994
Titolo:	Instanteneous S parameters measurements of MESFETs under burst bias conditions
Autore/i:	Begin, F; Ghannouchi F., M; Selmi, Luca; Ricco, B.
Autore/i UNIMORE:	BEGIN F GHANNOUCHI F. M SELMI, LUCA RICCO B. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/IMTC.1994.351974
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-85064602362
Codice identificativo ISI:	WOS:A1994BC27G00225
Nome del convegno:	1994 IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference, IMTC 1994
Luogo del convegno:	Hamamatsu, Japan
Data del convegno:	1994
Volume:	2
Pagina iniziale:	858
Pagina finale:	861
Citazione:	Instanteneous S parameters measurements of MESFETs under burst bias conditions / Begin, F; Ghannouchi F., M; Selmi, Luca; Ricco, B.. - 2(1994), pp. 858-861. ((Intervento presentato al convegno 1994 IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference, IMTC 1994 tenutosi a Hamamatsu, Japan nel 1994 [10.1109/IMTC.1994.351974].
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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