EnglishElectron- and hole-mobility enhancements in biaxially strained metal–oxide–semiconductor transistors are still a matter for active investigation, and this brief presents a critical examination of a recently proposed interpretation of the experimental data, according to which the strain significantly modifies not only the root-mean-square value but also the correlation length of the surface-roughness spectrum.We present a systematic comparison between comprehensive numerical simulations and experiments, which supports such an interpretation.
On the Surface-Roughness Scattering in Biaxially Strained n- and p-MOS Transistors / DE MICHIELIS, Marco; Conzatti, Francesco; Esseni, David; Selmi, Luca. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 58:9(2011), pp. 3219-3223. [10.1109/TED.2011.2158606]
| Data di pubblicazione: | 2011 | |
| Titolo: | On the Surface-Roughness Scattering in Biaxially Strained n- and p-MOS Transistors | |
| Autore/i: | DE MICHIELIS, Marco; Conzatti, Francesco; Esseni, David; Selmi, Luca | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/TED.2011.2158606 | |
| Rivista: | ||
| Volume: | 58 | |
| Fascicolo: | 9 | |
| Pagina iniziale: | 3219 | |
| Pagina finale: | 3223 | |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000294175900056 | |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-80052085490 | |
| Citazione: | On the Surface-Roughness Scattering in Biaxially Strained n- and p-MOS Transistors / DE MICHIELIS, Marco; Conzatti, Francesco; Esseni, David; Selmi, Luca. - In: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. - ISSN 0018-9383. - 58:9(2011), pp. 3219-3223. [10.1109/TED.2011.2158606] | |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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| File | Descrizione | Tipologia | |
|---|---|---|---|
| De_Michielis_M_TED_2011.pdf | N/A | Administrator Richiedi una copia |
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http://hdl.handle.net/11380/1162880
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