Monte Carlo Simulation of Decananometric Double-Gate SOI devices: Multi-Subband vs. 3D-Electron Gas with Quantum Corrections / Riolino, I., Braccioli, M., Lucci, L., Esseni, D., Fiegna, C., Palestri, P., Selmi, L.. - 2006-:(2006), pp. 162-165. (ESSDERC 2006 - 36th European Solid-State Device Research Conference Montreux, che SETTEMBRE 2006) [10.1109/essder.2006.307663].

Monte Carlo Simulation of Decananometric Double-Gate SOI devices: Multi-Subband vs. 3D-Electron Gas with Quantum Corrections

PALESTRI, Pierpaolo;SELMI, Luca
2006
2006
ESSDERC 2006 - 36th European Solid-State Device Research Conference
Montreux, che
SETTEMBRE 2006
WOS:000245038000036
2-s2.0-84957871180
2006-
162
165
Riolino, I; Braccioli, M; Lucci, L; Esseni, David; Fiegna, C; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca
Monte Carlo Simulation of Decananometric Double-Gate SOI devices: Multi-Subband vs. 3D-Electron Gas with Quantum Corrections / Riolino, I., Braccioli, M., Lucci, L., Esseni, D., Fiegna, C., Palestri, P., Selmi, L.. - 2006-:(2006), pp. 162-165. (ESSDERC 2006 - 36th European Solid-State Device Research Conference Montreux, che SETTEMBRE 2006) [10.1109/essder.2006.307663].
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