Experimental and Simulation Study of the Biaxial Strain and Temperature dependence of the Electron Mobility Enhancement in Si MOSFETs / Driussi, Francesco; Esseni, David; Selmi, Luca; P. E., Hellstrom; G., Malm; J., Hallstedt; M., Ostling; T. J., Grasby; D. R., Leadley; X., Mescot. - (2007), pp. 21-24. (Intervento presentato al convegno International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS) tenutosi a Leuven (Belgio), 15/16 marzo 2007 nel 15-16/03/2007).

Experimental and Simulation Study of the Biaxial Strain and Temperature dependence of the Electron Mobility Enhancement in Si MOSFETs

SELMI, Luca;
2007

2007
International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS)
Leuven (Belgio), 15/16 marzo 2007
15-16/03/2007
21
24
Driussi, Francesco; Esseni, David; Selmi, Luca; P. E., Hellstrom; G., Malm; J., Hallstedt; M., Ostling; T. J., Grasby; D. R., Leadley; X., Mescot
Experimental and Simulation Study of the Biaxial Strain and Temperature dependence of the Electron Mobility Enhancement in Si MOSFETs / Driussi, Francesco; Esseni, David; Selmi, Luca; P. E., Hellstrom; G., Malm; J., Hallstedt; M., Ostling; T. J., Grasby; D. R., Leadley; X., Mescot. - (2007), pp. 21-24. (Intervento presentato al convegno International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS) tenutosi a Leuven (Belgio), 15/16 marzo 2007 nel 15-16/03/2007).
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