Experimental and Simulation Study of the Biaxial Strain and Temperature dependence of the Electron Mobility Enhancement in Si MOSFETs

Driussi, Francesco; Esseni, David; Selmi, Luca; Hellstrom, P. E.; Malm, G.; Hallstedt, J.; Ostling, M.; Grasby, T. J.; Leadley, D. R.; Mescot, X.

Experimental and Simulation Study of the Biaxial Strain and Temperature dependence of the Electron Mobility Enhancement in Si MOSFETs / Driussi, F., Esseni, D., Selmi, L., P. E., H., G., M., J., H., M., O., T. J., G., D. R., L., X., M.. - (2007), pp. 21-24. (International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS) Leuven (Belgio), 15/16 marzo 2007 15-16/03/2007).

Experimental and Simulation Study of the Biaxial Strain and Temperature dependence of the Electron Mobility Enhancement in Si MOSFETs

DRIUSSI, Francesco;ESSENI, David;SELMI, Luca;P. E. Hellstrom;G. Malm;J. Hallstedt;M. Ostling;T. J. Grasby;D. R. Leadley;X. Mescot

2007

Scheda breve

Scheda completa

Scheda completa (DC)

	Anno di pubblicazione
	
				2007
			
	Titolo del Convegno
	
				International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS)
			
	Luogo del Convegno
	
				Leuven (Belgio), 15/16 marzo 2007
			
	Data del Convegno
	
				15-16/03/2007
			
	Pagina iniziale
	
				21
			
	Pagina finale
	
				24
			
	Tutti gli autori
	
						Driussi, Francesco; Esseni, David; Selmi, Luca; P. E., Hellstrom; G., Malm; J., Hallstedt; M., Ostling; T. J., Grasby; D. R., Leadley; X., Mescot...espandi
						
	Citazione
	
				Experimental and Simulation Study of the Biaxial Strain and Temperature dependence of the Electron Mobility Enhancement in Si MOSFETs / Driussi, F., Esseni, D., Selmi, L., P. E., H., G., M., J., H., M., O., T. J., G., D. R., L., X., M.. - (2007), pp. 21-24. (International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS) Leuven (Belgio), 15/16 marzo 2007 15-16/03/2007).
			
	Tipologia
	
				Relazione in Atti di Convegno

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