This paper presents a new self-consistent Multi- Subband Monte Carlo (MSMC) simulator design to investigate quasi-ballistic transport in nano p-MOSFETs. The simulator adopts an accurate analytical description of the warped hole subbands. A first comparison between n− and p−MOSFET performance is reported.
A New Multi Subband Monte Carlo Simulator for Nano p-MOSFETs / DE MICHIELIS, Marco; Esseni, David; Palestri, Pierpaolo; Selmi, Luca. - (2008), pp. 67-70. (Intervento presentato al convegno 9th International Conference on ULtimate Integration of Silicon, ULIS 2008 tenutosi a Udine (Italia) nel marzo) [10.1109/ULIS.2008.4527142].
A New Multi Subband Monte Carlo Simulator for Nano p-MOSFETs
SELMI, Luca
2008-01-01
Abstract
This paper presents a new self-consistent Multi- Subband Monte Carlo (MSMC) simulator design to investigate quasi-ballistic transport in nano p-MOSFETs. The simulator adopts an accurate analytical description of the warped hole subbands. A first comparison between n− and p−MOSFET performance is reported.
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