EnglishIn this paper we present a novel defect spectroscopy technique to investigate the properties of high-κ metal-gate oxides. This technique, based on the simultaneous simulations of I-V, C-V and G-V curves at different frequencies, allows profiling the distribution of interfacial and bulk defects inside the gate oxide and investigating the composition of the high-κ stacks on III-V materials. The proposed technique is applied to investigate the properties of high-κ stacks of InGaAs MOSFETs.
A novel technique exploiting C-V, G-V and I-V simulations to investigate defect distribution and native oxide in high-κ dielectrics for III-V MOSFETs / Sereni, Gabriele; Larcher, Luca; Vandelli, Luca; Veksler, D.; Kim, T.; Koh, D.; Bersuker, Gennadi. - In: MICROELECTRONIC ENGINEERING. - ISSN 0167-9317. - 147(2015), pp. 281-284. [10.1016/j.mee.2015.04.111]
| Data di pubblicazione: | 2015 | |
| Titolo: | A novel technique exploiting C-V, G-V and I-V simulations to investigate defect distribution and native oxide in high-κ dielectrics for III-V MOSFETs | |
| Autore/i: | Sereni, Gabriele; Larcher, Luca; Vandelli, Luca; Veksler, D.; Kim, T.; Koh, D.; Bersuker, Gennadi | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2015.04.111 | |
| Rivista: | ||
| Volume: | 147 | |
| Pagina iniziale: | 281 | |
| Pagina finale: | 284 | |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000362308000067 | |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-84928995373 | |
| Citazione: | A novel technique exploiting C-V, G-V and I-V simulations to investigate defect distribution and native oxide in high-κ dielectrics for III-V MOSFETs / Sereni, Gabriele; Larcher, Luca; Vandelli, Luca; Veksler, D.; Kim, T.; Koh, D.; Bersuker, Gennadi. - In: MICROELECTRONIC ENGINEERING. - ISSN 0167-9317. - 147(2015), pp. 281-284. [10.1016/j.mee.2015.04.111] | |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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|---|---|---|---|
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http://hdl.handle.net/11380/1131121
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