SrTiO<inf>x</inf> for sub-20 nm DRAM technology nodes - Characterization and modeling

Kaczer, B.; Larcher, Luca; Vandelli, Luca; Reisinger, H.; Popovici, M.; Clima, S.; Ji, Z.; Joshi, S.; Swerts, J.; Redolfi, A.; Afanas'Ev, V. V.; Jurczak, M.

doi:10.1016/j.mee.2015.04.070

The electrical properties of Ru/SrTiO<inf>x</inf>/Ru capacitors have been investigated. Equivalent Oxide Thickness (EOT) of 0.38 nm at 0 V and current density of 10<sup>-7</sup> A cm<sup>-2</sup> at ±1 V and 25 °C meet the sub-20 nm DRAM requirements. Relaxation measurements were performed, indicating acceptable charge loss. Modeling of charge trapping at defect sites based on multi-phonon trap-assisted-tunneling quantitatively well describes leakage and capacitance behavior.

SrTiO<inf>x</inf> for sub-20 nm DRAM technology nodes - Characterization and modeling / Kaczer, B.; Larcher, Luca; Vandelli, Luca; Reisinger, H.; Popovici, M.; Clima, S.; Ji, Z.; Joshi, S.; Swerts, J.; Redolfi, A.; Afanas'Ev, V. V.; Jurczak, M.. - In: MICROELECTRONIC ENGINEERING. - ISSN 0167-9317. - 147(2015), pp. 126-129.

Data di pubblicazione:	2015
Titolo:	SrTiO<inf>x</inf> for sub-20 nm DRAM technology nodes - Characterization and modeling
Autore/i:	Kaczer, B.; Larcher, Luca; Vandelli, Luca; Reisinger, H.; Popovici, M.; Clima, S.; Ji, Z.; Joshi, S.; Swerts, J.; Redolfi, A.; Afanas'Ev, V. V.; Jurczak, M.
Autore/i UNIMORE:	Kaczer, B. LARCHER, Luca VANDELLI, LUCA Reisinger, H. Popovici, M. Clima, S. Ji, Z. Joshi, S. Swerts, J. Redolfi, A. Afanas'Ev, V. V. Jurczak, M. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2015.04.070
Rivista:	MICROELECTRONIC ENGINEERING
Volume:	147
Pagina iniziale:	126
Pagina finale:	129
Codice identificativo ISI:	WOS:000362308000031
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-84928479943
Citazione:	SrTiO<inf>x</inf> for sub-20 nm DRAM technology nodes - Characterization and modeling / Kaczer, B.; Larcher, Luca; Vandelli, Luca; Reisinger, H.; Popovici, M.; Clima, S.; Ji, Z.; Joshi, S.; Swerts, J.; Redolfi, A.; Afanas'Ev, V. V.; Jurczak, M.. - In: MICROELECTRONIC ENGINEERING. - ISSN 0167-9317. - 147(2015), pp. 126-129.
Tipologia	Articolo su rivista

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