EnglishThe electrical properties of Ru/SrTiO<inf>x</inf>/Ru capacitors have been investigated. Equivalent Oxide Thickness (EOT) of 0.38 nm at 0 V and current density of 10<sup>-7</sup> A cm<sup>-2</sup> at ±1 V and 25 °C meet the sub-20 nm DRAM requirements. Relaxation measurements were performed, indicating acceptable charge loss. Modeling of charge trapping at defect sites based on multi-phonon trap-assisted-tunneling quantitatively well describes leakage and capacitance behavior.
SrTiO<inf>x</inf> for sub-20 nm DRAM technology nodes - Characterization and modeling / Kaczer, B.; Larcher, Luca; Vandelli, Luca; Reisinger, H.; Popovici, M.; Clima, S.; Ji, Z.; Joshi, S.; Swerts, J.; Redolfi, A.; Afanas'Ev, V. V.; Jurczak, M.. - In: MICROELECTRONIC ENGINEERING. - ISSN 0167-9317. - 147(2015), pp. 126-129. [10.1016/j.mee.2015.04.070]
| Data di pubblicazione: | 2015 | |
| Titolo: | SrTiO<inf>x</inf> for sub-20 nm DRAM technology nodes - Characterization and modeling | |
| Autore/i: | Kaczer, B.; Larcher, Luca; Vandelli, Luca; Reisinger, H.; Popovici, M.; Clima, S.; Ji, Z.; Joshi, S.; Swerts, J.; Redolfi, A.; Afanas'Ev, V. V.; Jurczak, M. | |
| Autore/i UNIMORE: | ||
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2015.04.070 | |
| Rivista: | ||
| Volume: | 147 | |
| Pagina iniziale: | 126 | |
| Pagina finale: | 129 | |
| Codice identificativo ISI: | WOS:000362308000031 | |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-84928479943 | |
| Citazione: | SrTiO<inf>x</inf> for sub-20 nm DRAM technology nodes - Characterization and modeling / Kaczer, B.; Larcher, Luca; Vandelli, Luca; Reisinger, H.; Popovici, M.; Clima, S.; Ji, Z.; Joshi, S.; Swerts, J.; Redolfi, A.; Afanas'Ev, V. V.; Jurczak, M.. - In: MICROELECTRONIC ENGINEERING. - ISSN 0167-9317. - 147(2015), pp. 126-129. [10.1016/j.mee.2015.04.070] | |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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|---|---|---|---|
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http://hdl.handle.net/11380/1131116
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