The electrical properties of Ru/SrTiO<inf>x</inf>/Ru capacitors have been investigated. Equivalent Oxide Thickness (EOT) of 0.38 nm at 0 V and current density of 10<sup>-7</sup> A cm<sup>-2</sup> at ±1 V and 25 °C meet the sub-20 nm DRAM requirements. Relaxation measurements were performed, indicating acceptable charge loss. Modeling of charge trapping at defect sites based on multi-phonon trap-assisted-tunneling quantitatively well describes leakage and capacitance behavior.
SrTiO<inf>x</inf> for sub-20 nm DRAM technology nodes - Characterization and modeling / Kaczer, B.; Larcher, Luca; Vandelli, Luca; Reisinger, H.; Popovici, M.; Clima, S.; Ji, Z.; Joshi, S.; Swerts, J.; Redolfi, A.; Afanas'Ev, V. V.; Jurczak, M.. - In: MICROELECTRONIC ENGINEERING. - ISSN 0167-9317. - 147(2015), pp. 126-129.
Data di pubblicazione: | 2015 |
Titolo: | SrTiO<inf>x</inf> for sub-20 nm DRAM technology nodes - Characterization and modeling |
Autore/i: | Kaczer, B.; Larcher, Luca; Vandelli, Luca; Reisinger, H.; Popovici, M.; Clima, S.; Ji, Z.; Joshi, S.; Swerts, J.; Redolfi, A.; Afanas'Ev, V. V.; Jurczak, M. |
Autore/i UNIMORE: | |
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2015.04.070 |
Rivista: | |
Volume: | 147 |
Pagina iniziale: | 126 |
Pagina finale: | 129 |
Codice identificativo ISI: | WOS:000362308000031 |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-84928479943 |
Citazione: | SrTiO<inf>x</inf> for sub-20 nm DRAM technology nodes - Characterization and modeling / Kaczer, B.; Larcher, Luca; Vandelli, Luca; Reisinger, H.; Popovici, M.; Clima, S.; Ji, Z.; Joshi, S.; Swerts, J.; Redolfi, A.; Afanas'Ev, V. V.; Jurczak, M.. - In: MICROELECTRONIC ENGINEERING. - ISSN 0167-9317. - 147(2015), pp. 126-129. |
Tipologia | Articolo su rivista |
File in questo prodotto:
File | Descrizione | Tipologia | |
---|---|---|---|
SrTiOx.pdf | Versione dell'editore (versione pubblicata) | Administrator Richiedi una copia |

I documenti presenti in Iris Unimore sono rilasciati con licenza Creative Commons Attribuzione - Non commerciale - Non opere derivate 3.0 Italia, salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris