This paper presents two dimensional (2D) RRAM devices exploiting multilayer hexagonal boron nitride (h-BN) as active switching layer. Different electrodes including Cu, Ni-doped Cu (CuNi) and graphene (G) are considered. The devices show low set/reset voltages, high on/off current ratio, good endurance and very low overall variability. Experimental results are interpreted using a novel simulation framework, which proves that the memory behavior is enabled by the manipulation of a boron (B)-deficient conductive filament (CF). The cyclical release and diffusion of B ions are the key physical mechanisms responsible for switching.
2D h-BN based RRAM devices / Puglisi, Francesco Maria; Larcher, Luca; Pan, C.; Xiao, N.; Shi, Y.; Hui, F.; Lanza, M.. - (2016), pp. 34.8.1-34.8.4. ((Intervento presentato al convegno 62nd IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2016 tenutosi a San Francisco (CA) - USA nel 2016.
Data di pubblicazione: | 2016 |
Data di prima pubblicazione: | 2016 |
Titolo: | 2D h-BN based RRAM devices |
Autore/i: | Puglisi, Francesco Maria; Larcher, Luca; Pan, C.; Xiao, N.; Shi, Y.; Hui, F.; Lanza, M. |
Autore/i UNIMORE: | |
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/IEDM.2016.7838544 |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-85014434721 |
Codice identificativo ISI: | WOS:000399108800219 |
Nome del convegno: | 62nd IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2016 |
Luogo del convegno: | San Francisco (CA) - USA |
Data del convegno: | 2016 |
Rivista: | TECHNICAL DIGEST - INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING |
Pagina iniziale: | 34.8.1 |
Pagina finale: | 34.8.4 |
Citazione: | 2D h-BN based RRAM devices / Puglisi, Francesco Maria; Larcher, Luca; Pan, C.; Xiao, N.; Shi, Y.; Hui, F.; Lanza, M.. - (2016), pp. 34.8.1-34.8.4. ((Intervento presentato al convegno 62nd IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2016 tenutosi a San Francisco (CA) - USA nel 2016. |
Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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