We present results from a combined experimental and numerical investigation of a blue InGaN/GaN LED test structure grown on a SiC substrate, confirming that tunneling represents a critical contribution to the sub-threshold forward bias current and discussing the relative importance of different trap-assisted electron tunneling processes.

Trap-assisted tunneling in InGaN/GaN LEDs: experiments and physics-based simulation / Mandurrino, M.; Verzellesi, Giovanni; Goano, M.; Vallone, M. E.; Bertazzi, F.; Ghione, G.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.. - ELETTRONICO. - -(2014), pp. 13-14. ((Intervento presentato al convegno 14th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices tenutosi a Palma de Mallorca, Spain nel September 1-4, 2014.

Trap-assisted tunneling in InGaN/GaN LEDs: experiments and physics-based simulation

VERZELLESI, Giovanni;
2014

Abstract

We present results from a combined experimental and numerical investigation of a blue InGaN/GaN LED test structure grown on a SiC substrate, confirming that tunneling represents a critical contribution to the sub-threshold forward bias current and discussing the relative importance of different trap-assisted electron tunneling processes.
14th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices
Palma de Mallorca, Spain
September 1-4, 2014
-
13
14
Mandurrino, M.; Verzellesi, Giovanni; Goano, M.; Vallone, M. E.; Bertazzi, F.; Ghione, G.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.
Trap-assisted tunneling in InGaN/GaN LEDs: experiments and physics-based simulation / Mandurrino, M.; Verzellesi, Giovanni; Goano, M.; Vallone, M. E.; Bertazzi, F.; Ghione, G.; Meneghini, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.. - ELETTRONICO. - -(2014), pp. 13-14. ((Intervento presentato al convegno 14th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices tenutosi a Palma de Mallorca, Spain nel September 1-4, 2014.
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