SURFACE-DENSITY OF STATES OF SB/GAAS(110) AND HGAAS(110) BY METASTABLE DEEXCITATION SPECTROSCOPY

Pasquali, L; Plesanovas, A; Ruocco, A; Tarabini, Ac; Nannarone, S; Abbati, I; Canepa, M; Mattera, L; Terreni, S

doi:10.1016/0368-2048(94)02335-2

Metastable deexcitation spectroscopy (MDS) was applied to the study of the electronic structure of Sb/GaAs(110) and H:GaAs(110) systems. For both systems valuable insights into the surface electronic structure (effective surface density of states and surface charge density) were obtained. A surface to volume ratio extremely higher than photoemission was obtained for MDS. For both systems new features, never observed by more conventional surface spectroscopies, were detected.

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Data di pubblicazione:	1995
Titolo:	SURFACE-DENSITY OF STATES OF SB/GAAS(110) AND HGAAS(110) BY METASTABLE DEEXCITATION SPECTROSCOPY
Autori:	PASQUALI L; PLESANOVAS A; RUOCCO A; TARABINI AC; NANNARONE S; ABBATI I; CANEPA M; MATTERA L; TERRENI S
Autori interni:	PASQUALI, Luca NANNARONE, Stefano
Digital Object Identifier (DOI):	10.1016/0368-2048(94)02335-2
Rivista:	JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA
Volume:	72
Pagina iniziale:	59
Pagina finale:	63
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