EnglishMetastable deexcitation spectroscopy (MDS) was applied to the study of the electronic structure of Sb/GaAs(110) and H:GaAs(110) systems. For both systems valuable insights into the surface electronic structure (effective surface density of states and surface charge density) were obtained. A surface to volume ratio extremely higher than photoemission was obtained for MDS. For both systems new features, never observed by more conventional surface spectroscopies, were detected.
| Data di pubblicazione: | 1995 |
| Titolo: | SURFACE-DENSITY OF STATES OF SB/GAAS(110) AND HGAAS(110) BY METASTABLE DEEXCITATION SPECTROSCOPY |
| Autore/i: | Pasquali, Luca; Plesanovas, A; Ruocco, A; Tarabini, Ac; Nannarone, Stefano; Abbati, I; Canepa, M; Mattera, L; Terreni, S. |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Digital Object Identifier (DOI): | 10.1016/0368-2048(94)02335-2 |
| Rivista: | |
| Volume: | 72 |
| Pagina iniziale: | 59 |
| Pagina finale: | 63 |
| Codice identificativo ISI: | WOS:A1995QR25300010 |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-0029272632 |
| Citazione: | SURFACE-DENSITY OF STATES OF SB/GAAS(110) AND HGAAS(110) BY METASTABLE DEEXCITATION SPECTROSCOPY / PASQUALI L; PLESANOVAS A; RUOCCO A; TARABINI AC; NANNARONE S; ABBATI I; CANEPA M; MATTERA L; TERRENI S. - In: JOURNAL OF ELECTRON SPECTROSCOPY AND RELATED PHENOMENA. - ISSN 0368-2048. - STAMPA. - 72(1995), pp. 59-63. |
| Tipologia | Articolo su rivista |
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|---|---|---|---|---|
| JElectrSpectrRerPhen_1995_SbGaAs_HGaAs.pdf | Articolo principale | Versione editoriale | Administrator Richiedi una copia |
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http://hdl.handle.net/11380/10217
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