Englisha 3d model for trap-limited conduction that makes use of a nonlinear resistance network is presented and applied to conduction in chalcogenide materials.
3D-nHD: a Hydrodynamic Model for trap-limited conduction in a 3d network / Cappelli, Andrea; Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo; Xiong, E. P. i. c. c. i. n. i. n. i. F.; A., Behnam; E., Pop. - STAMPA. - (2013), pp. 436-439. ((Intervento presentato al convegno 18th Int. Conf. on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) tenutosi a Glasgow nel september 3-5 2013.
| Data di pubblicazione: | 2013 |
| Titolo: | 3D-nHD: a Hydrodynamic Model for trap-limited conduction in a 3d network |
| Autore/i: | Cappelli, Andrea; Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo; Xiong, E. P. i. c. c. i. n. i. n. i. F.; A., Behnam; E., Pop |
| Autore/i UNIMORE: | |
| Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/SISPAD.2013.6650668 |
| Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-84891050112 |
| Nome del convegno: | 18th Int. Conf. on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) |
| Luogo del convegno: | Glasgow |
| Data del convegno: | september 3-5 2013 |
| Pagina iniziale: | 436 |
| Pagina finale: | 439 |
| Citazione: | 3D-nHD: a Hydrodynamic Model for trap-limited conduction in a 3d network / Cappelli, Andrea; Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo; Xiong, E. P. i. c. c. i. n. i. n. i. F.; A., Behnam; E., Pop. - STAMPA. - (2013), pp. 436-439. ((Intervento presentato al convegno 18th Int. Conf. on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) tenutosi a Glasgow nel september 3-5 2013. |
| Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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