3D-nHD: a Hydrodynamic Model for trap-limited conduction in a 3d network

Cappelli, Andrea; Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo; Xiong, E. P. i. c. c. i. n. i. n. i. F.; Behnam, A.; Pop, E.

doi:10.1109/SISPAD.2013.6650668

a 3d model for trap-limited conduction that makes use of a nonlinear resistance network is presented and applied to conduction in chalcogenide materials.

3D-nHD: a Hydrodynamic Model for trap-limited conduction in a 3d network / Cappelli, Andrea; Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo; Xiong, E. P. i. c. c. i. n. i. n. i. F.; A., Behnam; E., Pop. - STAMPA. - (2013), pp. 436-439. ((Intervento presentato al convegno 18th Int. Conf. on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) tenutosi a Glasgow nel september 3-5 2013 [10.1109/SISPAD.2013.6650668].

Data di pubblicazione:	2013
Titolo:	3D-nHD: a Hydrodynamic Model for trap-limited conduction in a 3d network
Autore/i:	Cappelli, Andrea; Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo; Xiong, E. P. i. c. c. i. n. i. n. i. F.; A., Behnam; E., Pop
Autore/i UNIMORE:	CAPPELLI, ANDREA BRUNETTI, Rossella JACOBONI, Carlo E. P.i.c.c.i.n.i.n.i. F. Xiong A. Behnam E. Pop mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1109/SISPAD.2013.6650668
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-84891050112
Nome del convegno:	18th Int. Conf. on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
Luogo del convegno:	Glasgow
Data del convegno:	september 3-5 2013
Pagina iniziale:	436
Pagina finale:	439
Citazione:	3D-nHD: a Hydrodynamic Model for trap-limited conduction in a 3d network / Cappelli, Andrea; Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo; Xiong, E. P. i. c. c. i. n. i. n. i. F.; A., Behnam; E., Pop. - STAMPA. - (2013), pp. 436-439. ((Intervento presentato al convegno 18th Int. Conf. on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) tenutosi a Glasgow nel september 3-5 2013 [10.1109/SISPAD.2013.6650668].
Tipologia	Relazione in Atti di Convegno

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