a 3d model for trap-limited conduction that makes use of a nonlinear resistance network is presented and applied to conduction in chalcogenide materials.
3D-nHD: a Hydrodynamic Model for trap-limited conduction in a 3d network / Cappelli, Andrea; Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo; Xiong, E. P. i. c. c. i. n. i. n. i. F.; A., Behnam; E., Pop. - STAMPA. - (2013), pp. 436-439. ((Intervento presentato al convegno 18th Int. Conf. on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) tenutosi a Glasgow, gbr nel september 3-5 2013 [10.1109/SISPAD.2013.6650668].
Data di pubblicazione: | 2013 | |
Titolo: | 3D-nHD: a Hydrodynamic Model for trap-limited conduction in a 3d network | |
Autore/i: | Cappelli, Andrea; Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo; Xiong, E. P. i. c. c. i. n. i. n. i. F.; A., Behnam; E., Pop | |
Autore/i UNIMORE: | ||
Digital Object Identifier (DOI): | http://dx.doi.org/10.1109/SISPAD.2013.6650668 | |
Codice identificativo Scopus: | 2-s2.0-84891050112 | |
Codice identificativo ISI: | WOS:000763450100104 | |
Nome del convegno: | 18th Int. Conf. on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) | |
Luogo del convegno: | Glasgow, gbr | |
Data del convegno: | september 3-5 2013 | |
Pagina iniziale: | 436 | |
Pagina finale: | 439 | |
Citazione: | 3D-nHD: a Hydrodynamic Model for trap-limited conduction in a 3d network / Cappelli, Andrea; Brunetti, Rossella; Jacoboni, Carlo; Xiong, E. P. i. c. c. i. n. i. n. i. F.; A., Behnam; E., Pop. - STAMPA. - (2013), pp. 436-439. ((Intervento presentato al convegno 18th Int. Conf. on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) tenutosi a Glasgow, gbr nel september 3-5 2013 [10.1109/SISPAD.2013.6650668]. | |
Tipologia | Relazione in Atti di Convegno |
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