Two-Dimensional Charge Transport in Disordered Organic Semiconductors

Brondijk, J. J.; Roelofs, W. S. C.; Mathijssen, S. G. J.; Shehu, A.; Cramer, T.; Biscarini, Fabio; Blom, P. W. M.; de Leeuw, D. M.

doi:10.1103/PhysRevLett.109.056601

We analyze the effect of carrier confinement on the charge-transport properties of organic field-effect transistors. Confinement is achieved experimentally by the use of semiconductors of which the active layer is only one molecule thick. The two-dimensional confinement of charge carriers provides access to a previously unexplored charge-transport regime and is reflected by a reduced temperature dependence of the transfer curves of organic monolayer transistors.

Two-Dimensional Charge Transport in Disordered Organic Semiconductors / J. J., Brondijk; W. S. C., Roelofs; S. G. J., Mathijssen; A., Shehu; T., Cramer; BISCARINI, FABIO; P. W. M., Blom; D. M., de Leeuw. - In: PHYSICAL REVIEW LETTERS. - ISSN 1079-7114. - 109(2012), pp. 056601-056601.

Data di pubblicazione:	2012
Titolo:	Two-Dimensional Charge Transport in Disordered Organic Semiconductors
Autore/i:	J. J., Brondijk; W. S. C., Roelofs; S. G. J., Mathijssen; A., Shehu; T., Cramer; BISCARINI, FABIO; P. W. M., Blom; D. M., de Leeuw
Autore/i UNIMORE:	J. J. Brondijk W. S. C. Roelofs S. G. J. Mathijssen A. Shehu T. Cramer BISCARINI, FABIO P. W. M. Blom D. M. de Leeuw mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.109.056601
Rivista:	PHYSICAL REVIEW LETTERS
Volume:	109
Pagina iniziale:	056601
Pagina finale:	056601
Codice identificativo ISI:	WOS:000306995700016
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-84864485602
Codice identificativo Pubmed:	23006192
Citazione:	Two-Dimensional Charge Transport in Disordered Organic Semiconductors / J. J., Brondijk; W. S. C., Roelofs; S. G. J., Mathijssen; A., Shehu; T., Cramer; BISCARINI, FABIO; P. W. M., Blom; D. M., de Leeuw. - In: PHYSICAL REVIEW LETTERS. - ISSN 1079-7114. - 109(2012), pp. 056601-056601.
Tipologia	Articolo su rivista

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http://hdl.handle.net/11380/963216

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