VIBRATIONAL AND COLLECTIVE EXCITATIONS IN THE BI/GAAS(110) SYSTEM

Mariani, C; DE RENZI, Valentina; Compano, R.

doi:10.1016/0169-4332(92)90242-P

We present a high resolution electron energy loss spectroscopy investigation of the Bi/[n-type GaAs(110)] system. Analysis of the elastic peak intensity, of the substrate's Fuchs-Kliewer phonon and dopant-induced free carrier plasmon, shows the influence exerted on GaAs by the first semiconducting Bi monolayer and by the subsequent semimetallic clusters at higher coverage.

Data di pubblicazione:	1992
Titolo:	VIBRATIONAL AND COLLECTIVE EXCITATIONS IN THE BI/GAAS(110) SYSTEM
Autore/i:	Mariani, C; DE RENZI, Valentina; Compano, R.
Autore/i UNIMORE:	MARIANI C DE RENZI, Valentina Compano R. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	10.1016/0169-4332(92)90242-P
Rivista:	APPLIED SURFACE SCIENCE
Volume:	56-8
Pagina iniziale:	247
Pagina finale:	251
Codice identificativo ISI:	WOS:A1992HM07500039
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-4243303983
Citazione:	VIBRATIONAL AND COLLECTIVE EXCITATIONS IN THE BI/GAAS(110) SYSTEM / Mariani, C; DE RENZI, Valentina; Compano, R.. - In: APPLIED SURFACE SCIENCE. - ISSN 0169-4332. - ELETTRONICO. - 56-8(1992), pp. 247-251.
Tipologia	Articolo su rivista

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http://hdl.handle.net/11380/856902

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