VIBRATIONAL AND COLLECTIVE EXCITATIONS IN THE BI/GAAS(110) SYSTEM

Mariani, C; De Renzi, Valentina; Compano, R.

doi:10.1016/0169-4332(92)90242-P

We present a high resolution electron energy loss spectroscopy investigation of the Bi/[n-type GaAs(110)] system. Analysis of the elastic peak intensity, of the substrate's Fuchs-Kliewer phonon and dopant-induced free carrier plasmon, shows the influence exerted on GaAs by the first semiconducting Bi monolayer and by the subsequent semimetallic clusters at higher coverage.

VIBRATIONAL AND COLLECTIVE EXCITATIONS IN THE BI/GAAS(110) SYSTEM / Mariani, C; DE RENZI, Valentina; Compano, R.. - In: APPLIED SURFACE SCIENCE. - ISSN 0169-4332. - ELETTRONICO. - 56-8(1992), pp. 247-251. [10.1016/0169-4332(92)90242-P]

Data di pubblicazione:	1992
Titolo:	VIBRATIONAL AND COLLECTIVE EXCITATIONS IN THE BI/GAAS(110) SYSTEM
Autore/i:	Mariani, C; DE RENZI, Valentina; Compano, R.
Autore/i UNIMORE:	MARIANI C DE RENZI, Valentina Compano R. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Digital Object Identifier (DOI):	http://dx.doi.org/10.1016/0169-4332(92)90242-P
Rivista:	APPLIED SURFACE SCIENCE
Volume:	56-8
Pagina iniziale:	247
Pagina finale:	251
Codice identificativo ISI:	WOS:A1992HM07500039
Codice identificativo Scopus:	2-s2.0-4243303983
Citazione:	VIBRATIONAL AND COLLECTIVE EXCITATIONS IN THE BI/GAAS(110) SYSTEM / Mariani, C; DE RENZI, Valentina; Compano, R.. - In: APPLIED SURFACE SCIENCE. - ISSN 0169-4332. - ELETTRONICO. - 56-8(1992), pp. 247-251. [10.1016/0169-4332(92)90242-P]
Tipologia	Articolo su rivista

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