Electronic states associated to misfit dislocations at the GaAs(110)-Bi interface have been dtected by HREELS.
One-dimensional `Dislocation-related' Electronic States at the GaAs(110)-Bi(1x1) interface / R., Compañò; DEL PENNINO, Umberto; Carlo, Mariani. - In: PHYSICAL REVIEW LETTERS. - ISSN 0031-9007. - STAMPA. - 66:(1992), pp. 986-989.
One-dimensional `Dislocation-related' Electronic States at the GaAs(110)-Bi(1x1) interface
DEL PENNINO, Umberto;
1992
Abstract
Electronic states associated to misfit dislocations at the GaAs(110)-Bi interface have been dtected by HREELS.
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