Capacitance measurements at different temperatures in reverse biased diodes enable the detection of the edge dislocation energy levels.

Capacitance Method as a New Tool to Investigate the Electronic States of Dislocations in Semiconductors / Mantovani, Silverio; DEL PENNINO, Umberto; Mazzega, Ezio. - In: PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH. - ISSN 0031-8965. - STAMPA. - 35:(1976), pp. 451-457.

Capacitance Method as a New Tool to Investigate the Electronic States of Dislocations in Semiconductors

MANTOVANI, Silverio;DEL PENNINO, Umberto;MAZZEGA, Ezio
1976-01-01

Abstract

Capacitance measurements at different temperatures in reverse biased diodes enable the detection of the edge dislocation energy levels.
35
451
457
Capacitance Method as a New Tool to Investigate the Electronic States of Dislocations in Semiconductors / Mantovani, Silverio; DEL PENNINO, Umberto; Mazzega, Ezio. - In: PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH. - ISSN 0031-8965. - STAMPA. - 35:(1976), pp. 451-457.
Mantovani, Silverio; DEL PENNINO, Umberto; Mazzega, Ezio
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate

Licenza Creative Commons
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11380/761655
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 12
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact