Capacitance measurements at different temperatures in reverse biased diodes enable the detection of the edge dislocation energy levels.
Capacitance Method as a New Tool to Investigate the Electronic States of Dislocations in Semiconductors / Mantovani, Silverio; DEL PENNINO, Umberto; Mazzega, Ezio. - In: PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH. - ISSN 0031-8965. - STAMPA. - 35:(1976), pp. 451-457.
Capacitance Method as a New Tool to Investigate the Electronic States of Dislocations in Semiconductors
MANTOVANI, Silverio;DEL PENNINO, Umberto;MAZZEGA, Ezio
1976
Abstract
Capacitance measurements at different temperatures in reverse biased diodes enable the detection of the edge dislocation energy levels.
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