By measuring the reverse bias chararcteristics of Au-nSi diodes made from deformed silicon, with variable content of edge dislocations, their electronic properties are deduced
Edge Dislocation Behaviour in Au-n Silicon Diodes / Mantovani, Silverio; DEL PENNINO, Umberto. - In: PHYSICA STATUS SOLIDI. A, APPLIED RESEARCH. - ISSN 0031-8965. - STAMPA. - 30:(1975), pp. 747-754.
Edge Dislocation Behaviour in Au-n Silicon Diodes
MANTOVANI, Silverio;DEL PENNINO, Umberto
1975
Abstract
By measuring the reverse bias chararcteristics of Au-nSi diodes made from deformed silicon, with variable content of edge dislocations, their electronic properties are deduced
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
Pubblicazioni consigliate
I metadati presenti in IRIS UNIMORE sono rilasciati con licenza Creative Commons CC0 1.0 Universal, mentre i file delle pubblicazioni sono rilasciati con licenza Attribuzione 4.0 Internazionale (CC BY 4.0), salvo diversa indicazione.
In caso di violazione di copyright, contattare Supporto Iris
