By means of electron spectrosocpies, HREELS and UPS, the Electronic and Dielectric properties of the Bismuth and Antimony interfaces with GaAs(110) have been studied.
Bismuth and Antimony on GaAs(110): Dielectric and Electronic Properties / M. G., Betti; M., Pedio; DEL PENNINO, Umberto; C., Mariani. - In: PHYSICAL REVIEW. B, CONDENSED MATTER. - ISSN 0163-1829. - STAMPA. - 45:(1992), pp. 14057-14064.
Bismuth and Antimony on GaAs(110): Dielectric and Electronic Properties
DEL PENNINO, Umberto;
1992
Abstract
By means of electron spectrosocpies, HREELS and UPS, the Electronic and Dielectric properties of the Bismuth and Antimony interfaces with GaAs(110) have been studied.
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