A new Monte Carlo algorithm for electron transport at high electric fields in Si is presented.
A new microscopic model for hole transport in silicon with application to submicron LDD MOSfets / A., Abramo; C., Fiegna; F., Venturi; Brunetti, Rossella; E., Sangiorgi; C., Bergonzoni; B., Riccò. - STAMPA. - 4:(1991), pp. 257-263. (Intervento presentato al convegno 4th Int. Conference on Simulation of Semiconductor Devices and Processe tenutosi a Zurich nel september 12-14 1991).
A new microscopic model for hole transport in silicon with application to submicron LDD MOSfets
BRUNETTI, Rossella;
1991
Abstract
A new Monte Carlo algorithm for electron transport at high electric fields in Si is presented.
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